未加外部电压时,pn结电流从p流向n

PN结上的电压与电流不符合欧姆定律.当PN结外加正向电压时,电流随电压按指数规律变化；当PN结加反向电压时,电流约等于反向饱和电流.当外加电压极性不同时,PN结表现出不同的导电性能,即出现单向导电性.

pn结在未加电压前,就有扩散运动,且扩散运动在pn结两边形成内电场,该内电场抑制扩散运动,从而达到扩散平衡.此时,你加入正向电压（而不是电流）,达到一定的数值将抑制内电场,内电场重新变化,电荷带变小,

PN结只能算个非线性电阻吧?又不是储能元件,没外部电压当然没有电流.

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.

光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子

未加外部电压,没有电流

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

如果加到PN结两端的电压达到一定的值的时候,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿又称电击穿.PN结击穿有两个原因,一个是雪崩击穿,还有一个是齐纳击穿（大多出现在齐纳二极管中）雪崩击穿和齐纳击

PN结本身是无源元件,没有外部电压,没有电流通路,何来结电流?答案应该是结电流没有变化且等于零.

1．PN结未加外部电压时,扩散电流(C)漂移电流.A．大于B．小于C．等于D．视情况而定2．集成运放的差模输入信号是差动放大电路两个输入信号的(B).A．和B．差C．比D.平均值3．工作点稳定电路输入

当P-N结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子.但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子.因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结.只有

二极管有几个重要参数,一个：最大整流电流,当流过二极管的电流大于最大整流电流时,二极管容易被烧坏；另一个：最高反向工作电压,表示二极管正常（长时间）,反向工作时两端能够承受的最高电压,一般为反向击穿电

P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒（载流子）减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子

将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导

加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.

一个二极管是由一个PN结的半导体元件,电流是从P流向N.三极管是由二个PN结的半导体元件,分为PNP和NPN两种形式,当其达到导通条件时,NPN三极管的电流是从C极流向E极,反过来,PNP三极管的电流

先要知道～Si掺杂入3价元素就是P区,掺杂入5价元素就是N区．然后应该这么理解～PN结加正相电压,使空间电荷区减小,有利于多子的扩散,P区多子是空穴,少子是电子,N区多子是电子,少子是空穴．反之,当P

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

http://www.circuitfly.com/ecshop/article.php?id=181这个上面有对数放大器的原理说明,没说输入的是小信号啊,但是输出是小信号,因为利用二极管的正向压降!