晶体三极管集电极和基级上的电流一定满足IC=BIB的关系

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

IE=IC+IB,IB极小.所以IE相当于等于IC,IC放大就有用了啊!你的第一个问题是什么啊?我真是看不懂,你表达有问题."共哪个极,哪个极接地"这个说法是交流接地不是直流接地,电池的正负极之间对交

晶体三极管的发明者巴丁(1908—)生于美国,少年时代就很用功,16岁考上大学,特别喜欢物理.早年他和另外两名科学家肖克莱和布拉坦一起,共同研究半导体锗和硅的物理性质.在一次实验中,他在锗晶体上放置了

进入微观世界里面看,你会知道,PN结正偏的时候,电流很大,我们说正向导通.当PN结反偏时,电流很小,因为PN结的光热作用,会有“少子”通过.再看看三极管的结偏压,正常工作的情况下,集电结处于反偏,发射

无论是共基极、共集电极或共发射极电路,只要基极有电流输入,一定引起集电极和发射极电流的改变.你的问题中输入在基极和集电极之间,如果是NPN型三极管,当Ubc发生变化时,那么Ube也发生变化,原因是：N

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示.晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作

三极管是电流放大期间,不是电压放大器件.三极管有个参数,就是电流放大倍数β基极电流*β=集电极电流.一点点的基极电压不足以让基极产生电流,有个死区电压,大约为0.3-0.5V.电压达到一定程度后,电压

有关当然有关了晶体三极管的电流放大系数随温度的升高而增大的!

温度升高,原子热运动加剧导致自由电子和空穴增加,所以在电场（电压恒定）一定条件下电流会明显变大!（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的IB

主要是通过电流分配关系.IE=IC+IB,IC=βib,改变基极电流,也就改变了集电极电流.其实也可以采用基尔霍夫电流定律来计算.

答：1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直

放大,ei,ci,bi,

实际电流是流过RCRL并联之后的等效电阻,把2个电阻当一个看.换句话说是每个电阻都有电流,谁的电阻大电流就小.

你说的对.一般的三极管放大（共射放大电路,输出信号从集电极引出）,输出信号与输入信号在相位上刚好相差180度.这个问题其实就是三极管的工作原理,属于微电子学的知识（PS:现在的高中居然要学这些,实在搞

因为NPN的三极管,集电极是接正电,（发射极处在负端）,按照电学的规定,电流是正极流向负极（和电子流向相反）,所以就有你说的“集电极电流的方向是流向集电极,”,这是规定,就这么简单.你再看看,在研究P

此处只给了共发射极电路的,还有共基极和共集电极两种

基极电压Vbe=0.7VIb=(15-0.7)/100k=43μA设三极管放大倍数为β,则Ic=43μA*βVce=15V-5k*43μ*βV=(15-0.215*β)V1.如果Vce>Vcb,则三极

书不全,集电极最大电流有3种定义方式,你那只是一种,还有是集电极引线的最大承受电流和根据最大耗散功率算得的最大电流两种定义方式.理解是：随着集电极电流的增大,β会变小的,注意,β不是不变的!会随着温度

简单的说说吧,放大状态下,你可以把三极管CE等效为一个可调电阻,集电极电流是取决于UC的,IB增高的话,CE间电阻会减小,那么通过集电极的电流自然会增加.并不是VCE增高,而是集电极电位下降.反之,你

一般晶体三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件.它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用.它可以