放大电路及晶体管输出特性已知ic=0.02sinwt画出ic Uce随时间变化-搜答案-智慧作业帮

Rbe也应该为已知.(1)us=ib*Rbe+(β+1)ib*RFu2=βib*（RL//Rc）Au=u2/us=β(RL//Rc)/(Rbe+(β+1)*RF)特别地：当β>>1、Rbe1、Rbe

这是放大线路设计公式Rbe是三极管B到E的内阻rbb是三极管基区体电阻RL是负载RC是集电极电阻AV是放大倍数Beta是放大倍数（就是那个和B一样的）Ri输入阻抗Rb是基极串入电阻R0是输出阻抗这个公

温度,通过三极管电流变化,会导致三极管工作功率变化,最终导致三极管结温上升或下降.任何元器件温度变化都会导致工作参数变化,只是大小问题.

1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a

万用表,示波器都行.

输出特性曲线是描述积极电流Ib为一常量时.集电极电流ic与管压降Uce之间的函数关系,是三极管的自身特征,与负载无关.有饱和区,放大区,截至区.通俗看就是那种突然往上又平缓,有很多根线的~直流负载线：

看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.

1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变

增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.

你是什么样的小信号,邮箱地址

在射电路中,从基极注入基极电流从发射极流出,放大的电流从集电极流入从发射极流出

因为在晶体管放大电路中,在晶体管工作在既不截至也不饱和导通的线性放大状态的条件下,集电极电流主要取决于基极电流,其它影响因素都很弱,因此集电极的等效输出电阻Rce很高,所以将晶体管的集电极输出视为由基

同一点接入为并联,不同节点接入为串联

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

先求Ib：Vbb=1.5V,Ube=0.7V,则URb=Vbb-Ube=0.8VIb=URb/Rb=0.8/5=0.16mA所以Ic=βIb=8mA,所以Uce=Vcc-URc=12-8V=4VUo=

答：括号1（共集电极）2（共基极）3（共射极）4（共基极）5（共集电极）6（功率）

乙互补对称功率放大电路的交越失真由于到输入晶体管存在__阻挡（或死的）_电压引起的特性.

是的,静态电流×电压=功耗

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.

这个简单,看电容的位置就可以区分出来.从输出耦合电容的位置,可以明显区分出共集电极和共射极电路；如果电容从集电极上引出就是共射极电路；如果是从发射极引出就是共集电极电路；而共基极电路中明显的区别是基极