已知如图所示的电路中晶体管的β=100,Rbe=1000-搜答案-智慧作业帮

图呢.

分析：T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.

看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态：

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1＋β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

T1是共基、T2共射、T3共集（又称射跟）.

Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66

答案是放大区么?我也在看模电~可以讨论讨论哈~Ube=0.7=Vcc-Ib*Rb,所以Ib=0.0000143A又因为Ic=贝特*Ib=30Ib所以,Uce=Vcc-Ic*Rc=4.57V所以BE正偏

Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

哪个极用作输入输出公共端,就是共哪个极的电路.例如共射,信号从基极与射极输入,则会从集电极与射极输出.

基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问：为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢，还有a图是共射电路吗，不太看懂啊

BJT晶体管的三个电流,绝对值最小的那个是基极电流,最大的那个是发射极电流,居间的是集电极电流.这里①脚电流绝对值为|I1|=1.2mA,居于另外两个0.02mA和1.22mA之间,故①脚为C集电极

1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.