工作在放大状态的晶体管,各级的电位

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/21 15:00:28
W20NK50Z MOS管可以工作在放大状态吗?他的频率是多少?

电阻调节电路工作点电感滤波,调节谐振频率三极管可以放大电压三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,2、成本问题:三极管便宜,mos管贵.3、功耗问题:三极管损耗大.4、驱动能力:mos管常用来电源开关

如何判别电路中晶体管的工作状态?

一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.

如图在硅晶体管电路中 工作状态

工作在饱和导通状态.忽略三极管的基极电阻,则Ib∽Vcc/Rb=0.1mA如果工作在放大状态,则:Ic=β*Ib=40*0.1mA=4mA而Ic的最大电流肯定是小于Vcc/Rc=3mA所以,三极管只能

互补对称功率放大电路晶体管的工作状态一般处于什么工作状态

可以工作在甲类,甲乙类,乙类,甲类音质最好功耗最大,乙类功耗最小音质在这三种模式里最差,甲乙类介于中间

怎样根据三极管的各级对地电压值判断其工作状态,用电压法

以NPN硅三极管为例,be极电压=0.7V,三极管工作在放大状态,这个电压正好是be结的正常结电压,信号的微弱电流无论正负都可以叠加在iB上,只要偏置电路设置的别太差,be结就可以稳定在这个电压;be

电路如图所示,晶体管T的电流放大系数β=50,Rb=300K欧,Re=3K欧,晶体管T处于什么状态?

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差(1+β)倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态:

已知晶体管的β=50分析图题所示各电路中晶体管的工作状态

A)为饱和状态B)截止状态C)放大状态再问:(a)和(c)怎么计算的啊再答:A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

在单管晶体管放大电路中,电压放大倍数小的电路是

共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1+β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.

数字电路中,晶体管工作在那两种状态下?

数字电路中,晶体管工作在饱和状态和截止状态.

分析电路中各硅晶体管的工作状态(放大,饱和,截止或损坏)

a、饱和,发射结、集电结均正偏,饱和,b、截止,发射结、集电结均反偏,截止,c、损坏,发射结电压>0.7V,损坏d、放大.发射结正偏、集电结反偏,放大.若有帮助,请釆纳,谢谢!

(2/3):晶体管的电流放大系数B是指什么? a:工作在饱和区时的电流放大系数 b:工作在放大区时的电流放大系...

选B饱和区的发射结和集电结均取于正向偏置,无电流放大作用.截止区发射结电压小于开启电压且集电结处于反向偏置,无电流放大作用.所以只有工作在放大区时才具有电流放大作用.

判断下晶体管的工作状态

分析:图中的三极管属于PNP管,从数据看,基极电位异常(正常时它的电位应是居中,不是最低).三极管be电压是0.3V(应是锗管),而ce电压只有0.2V,所以判断此管似乎损坏了.再问:那前面的负号对判

关于放大电路晶体管ube的问题

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

为了使PNP型晶体管工作在放大状态,应在外部加什么样的电压?

为了使PNP型晶体管工作在放大状态,应保证集电极电流小于集射间的饱和电流,即满足:Ic~BxIb

怎么判断晶体管是工作在哪种状态?

从图来看,可以测集电极电压来判断:集电极电压接近或等于14V,则三极管截止;集电极电压接近或等于0V,则三极管饱和;集电极电压在7V左右,则三极管处于放大状态,过高过低都会使被放大的信号产生失真.再问