如果磁感应强度b不垂直于霍尔片
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/12 08:09:14
将霍尔片绕轴线方向左右旋转,观察示数大小变化,当时数最大时,就是B垂直于霍尔片
第一螺线管里面有电流,在你接触磁的时候应该讲了奥斯特实验也就是通电导线周围存在磁场!霍尔元件测量方法1、长螺旋管轴向上的磁感应强度与长螺旋管轴向平行.可将霍尔元件的平面与长螺旋管的轴向垂直摆放,并置于
答案是B因为垂直进入磁场,磁场力与速度方向垂直,磁场力不做功,速度不变,故排除CD.磁场力提供向心力,由由匀速圆周运动规律有:qvB=mv^2/R得R=mv/(qB)B变为2B,则R变为原来的一半
D安培力等于BIL,I=BLV/R,F=B^2L^2V/R,要比较安培力的大小,就是比较速度的大小.在B点的速度小于在D点的速度,而在C点线圈不受安培力的作用
小球静止加速下滑,f洛=Bqv在不断增大,开始一段水平方向有f洛=N,最初加速度a=g为最大,其中f=μN,随着速度的不断增大,f洛增大,弹力增大,加速度随之减小.随着速度的增大,N不断变大,摩擦力变
设:cd间的静电场强度为E,电流定向移动的速度为v某个时段t内通过截面(Ld)上的电荷总数为n(Ld)(vt),所以I=q[n(Ld)(vt)]/[(Ld)t]=qnv;E=U/L;静电力与洛伦兹力平
粒子圆周运动产生的电流为I=q/T=q/(2πm/(qB))=Bq^2/(2πm)所以A错,和m成反比B错,和q平方成正比C错,和速度无关D对答案错了吧,应该只选D
当然你的看法不对.这个定义式是在B和I垂直的前提下给出的,即 F=B*I*L,事实上是F垂直于B和I所确定的平面,B与I可不垂直.
qv0B=mv²/r,r=mv0/qB,q/m=v0/B
可以.线性霍尔的输出电压和磁场强度是近似的一次函数斜线,如果你知道一颗线性霍尔的电压-磁场强度曲线就能根据电压测出场强.但是注意的是,线性霍尔是有工作温度的,而且只在一定磁场强度范围内有效,所以如果是
霍尔效应是高中物理竞赛的内容哦.霍尔效应实质上是运动电荷在磁场中受到洛仑磁力的作用后发生偏转而产生的,当霍尔电场力与洛仑磁力平衡时,霍尔片的上下两个平面间形成了恒定的电位差,利用这个电位差就可以测出磁
答案:B.C1如果小球带正电,则洛伦兹力垂直斜面向下.则经过受力分析可得小球先向下加速,然后匀速,设此速度为v则可得匀速时有(Bqv+mgcosθ)μ=mgsinθ得v=mg(sinθ-μcos)/μ
4l我估计是一个线框线框的边长是L那么4L是线框击倒线的总长度ρ=RS/L再根据电阻率公式求电阻再问:"那么4L是线框击倒线的总长度"。这句话是什么意思?再答:那么4L是线框即导线的总长度打错字了不好
qub=mu∧2/r所以u=qubr/m=√3qubr/m
最重要的就是你要根据74度算出带电粒子的运动半径,这个根据几何画图就可以求出,然后加上r=mv/qB可求出速度t=74/360×2πm/qB可求出时间
因为铁磁质材料中有剩磁存在在测量磁化曲线和磁滞回线前必须对样品进行退磁处理使H=0时B=0
1)厄廷好森(Etinghausen)效应引起的电势差UE.由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,
1、霍尔片感应到的是磁场的垂直分量,如果不垂直,会比实际的值小.2、温度会对元件的灵敏度产生影响,即温度不同你测出的那个mV/Gauss(或者是其他等量单位,大物实验里好像磁场强度是用mT表示的)的值
产生电流需要闭合线框;产生电动势不需要闭合线框.再问:E=BLwr?再答:对