如果三极管工作在饱和区,两个PN结状态( )

这么简单的问题你还在问,从题的意思都看的出来,我告诉你算了.三极管做开关状态的时候分别工作在饱和区和截止区.当工作在开的时候,它就是在饱和区,当工作在关的时候,它就工作在截止区.想也想的到嘛.

1,对于NPN三极管,是基极,和集电极流入电流,发射机流出,所以Ib+Ic=Ie2,对于PNP则反之,发射机流入,基极和集电极流出所以Ie=Ib+Ic处于放大区（不好意思,把放大倍数30倍,看成50倍

以NPN型三极管接成的共发射极电路为例,只有在饱和状态下才能确保输出低电压,只有在截止状态下才能确保输出高电压,在放大区是高低电压都有可能的,所以在开关电路中三极管不能工作在放大区.Vbe=2.8V,

只要三极管基极的注入电流足够大,就能使三极管处在饱和导通状态.

三极管构成的放大电路,在实际应用中,除了用做放大器外（在放大区）,三极管还有两种工作状态,即饱和与截止状态.1．截止状态所谓截止,就是三极管在工作时,集电极电流始终为0.此时,集电极与发射极间电压接近

根据我多年运用TIP31C的经验,这跟你饱和状态下的电流有关.基极电流要大于集电极电流除以放大倍数.将我用的数给你参考：12V电压200mA以下电流2K,24V电压200mA以下电流5.1K再问：TI

以下以NPN管为例：三极管做开关应用的电路是：电源正极－－负载－－三极管C极－－三极管E极－－电源负,把三极管的C-E极之间看成是一个开关.三极管饱和时,C-E看成短路即开关通,截止时看成断路.要让三

粗略估计A放大B饱和CD截止,上次回答你好像没给分.看你这次的了再问：不是我没给分,我不是这专业的,我怕答错了,晚上就要交答案了,能否不要粗略?,能确定吗

看电压集电极反偏,发射极正偏,放大区集电极正偏,发射极正偏,饱和区集电极反偏,发射极反偏,截止区PNP管和NPN管都是这样!再问：这个图中，怎么判断它的极性呢？越详细越好，谢谢再答：如果单纯只判断各级

饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：发射结正偏,集电结反偏——放大状态；发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态；发射结反偏,集电结也反偏——截止状态.这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为

三极管工作在饱和态时,发射结正偏,集电极正偏.以NPN三极管为例,饱和态时,发射结正偏,使发射区的多数载流子自由电子越过发射结,部分与基区的空穴复合形成基极电流IB,而集电极正偏,使集电区的多数载流子

错!是饱和后导通电流就不再随输入电流的增加而增加了,在这之前也是导通的,但导通电流是随输入电流的增加而增加的,基本符合y=kx的曲线特征,所以近似的称为线性放大区,在线性放大区之下由于门坎电压的原因管

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

高电位到低电位   就像水向低处流  不会倒流的  顶多会截止了

这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

在回答问题之前,需要先说说三极管的结构,这样方便理解.以NPN管为例,它是由三层半导体材料构成的（N型半导体材料+P型半导体材料+N型半导体材料）.在中间的P型半导体材料与两端的N型半导体材料之间,都