太阳能电池 寄生pn结

简要来说,太阳能电池一般采用太阳能级单晶硅或多晶硅片作为太阳能电池,硅片经过光照能够产生电势差,也就是光伏效应.就和发电机的正负极一样,硅片在生产过程中通过参加不同的杂质使其变为不同的类型,P型和N型

太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源.也是清洁能源,不产生任何的环境污染.在太阳能的有效利用当中；大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一.制作太阳能电池主要

太阳能电池是利用含有杂质硼的硅(P型硅)为衬底,扩散入N型气体(磷).因为硼有多余的空穴,而磷有多余的电子,两者形成一定的浓度差,所以就会互相往对方里面跑,等达到一定程度后,也就是饱和了,就会停止.这

PN结在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.基本特性 　在&n

单节非晶硅电池pn结的开路电压可以做到0.8V左右.你说的pn结的间距是指由激光刻划出来的每个子电池的宽度吗?这个根据你想获得的电压而确定,宽度越窄,整个电池的电压越大,一般在5～20mm吧.

你搞错了吧,太阳能电池中,在pn结内建电场的影响下,n区空穴通过pn结向p区移动,p区电子通过pn结向n区移动,所以是两种载流子

PN结是构成二极管的,而NPN或PNP是三极管,它是由两个PN结构成的.这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途.还是主要学习PN结的作

什么叫PN面积?你是指PN结的截面积吗?PN结截面积就是硅片的面积,太阳能电池就是一个大PN结嘛!

PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N

这个问题不仅局限于太阳能电池任何电池都一样通常的开路电压有等效电动势差决定反向击穿电压除克服等效电动势差以外还要克服P-N结极化后的反向内建电场所以后者的绝对值要相对大一些

+P-N-孔穴＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带-电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结,所以扩散运动越强,

可以看看马丁格林写的《太阳能高级原理与实践》

PN结光电二极管与光电效应太阳能电池核心部分都是PN结,在基本工作原理方面具有相同点：它们的工作都是将光信号转化成电信号或者说将光电转化为电能.具体地说,当光照在半导体p-n结上,形成新的空穴由-电子

在一个半导体芯片上（大多是4价材料,即原子的最外层有4个电子）,一面掺入3价材料,另一面掺入5价材料.这样,就会在两个渗入层之间产生一个反向电场区,这就是所谓的PN结.其实,P区就是掺入了3价材料的多

当P-N结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子.但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子.因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结.只有

理论上都有贡献,但这部分电子和空穴与p-n结附近产生的电子空穴浓度相比是极少的,一般情况下可以忽略.再问：不是说在理想的情况下，PN结产生的电子空穴对是均匀的吗？那即使不是理想条件也不至于是极少的吧？

首先你要知道PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0

二级管或者三级管（晶体管）上的重要部分,通常是在一块N型（P型）半导体的局部再掺入浓度较大的三价（五价）杂质,使其变为P型（N型）半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为P

以NPN管为例,三极管共有两个PN结：b-e间的PN结和b-c间的PN结.在三极管正常工作时（在放大状态下）,b-e间的PN结是PN通（正向）,b-c间的PN结是NP通（反向）.

就我个人理解是关系：I1=I+If.区别：I1是光生电流、If是P--N结的正向注入电流,I是太阳电池提供的负载电流它们各自的定义互不相同.形成：I1是光照产生,电子向N区移动,空穴向P区移动从而形成