处于放大状态的NPN型三极管,其各级电位关系是

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

一、判定好坏：万用表放测电阻档Rx1000：1.正表笔接基极,负表笔分别接发射极和集电极,指针有较大偏转,但不为02.负表笔接基极,正表笔分别接发射极和集电极,指针不动3.表笔接在发射极和集电极,表针

三极管可以看成是2个PN结.测试其好坏只要测其PN结是否正常就行.其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的.估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法：黑表笔接c极,

NPN放大电路图!5个三极管

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

1.vbe=ub-ue=-0.2V,uc>ue,因此判断为截止状态的npn管；2.vbe=ub-ue=0.74V,vce=uc-ue=0.3V0.7V,再看ce结是否正偏,如果vce大于vbe则肯定处

截止放大

上图是最简单的示意图,根本不能用来放大.电路设计者对电路的功能心中有数,首先确定集电极的最大电流,然后选择三极管型号.Rc=Vcc/ImaxIcq=Imax/2=Vcc/2Rc；Icq=最大值的一半.

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

三极管共射极电路放大信号是由于输入信号改变了基极电压从而影响三极管的工作状态实现放大的,假设三极管Ube为0.6v,基极偏置电压设置的为0.7v,当输入-0.2v信号时,Ub=0.7v-0.2v=0.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

因为减小RB电阻,会使静态工作电流增大,最好检查距离饱和区还有多远,如过有段距离,可采用减小负载电阻,或改变负反馈的发射极电阻,总之,原则是在最大输出不失真幅度下,尽可能减小静态电流,可减小功耗和噪声

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.

基集电流放大后集电集的电流不会大于总电源的电流的.S8550的三极管基集偏置电阻一般为几十到几百千欧,发射集的偏置电阻一般为100欧到1千欧.具体的要看你的集电极电流Ic需要取多大.以基本共射放大器为

可以知道,中间一个脚的电流是往外流出的,是5mA.这样就有0.1+5=5.1mA.由三极管特性可知,此管为PNP管,左边的脚是B极,中间的脚是C极,右边的脚是E极.很简单的一道题.

发射结正偏就是:基极电压大于发射极电压集电结反偏是：三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.在放大电路中be结正偏,bc结反偏,三极管工作在放大区,在数字电路中bc结0偏或反偏

无论NPN还是PNP型三极管,它们放大倍数的定义是相同的：β=Ic:I

达林顿接法,沃尔曼接法,推挽图腾接法.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为