在P型半导体中为什么Si原子失去一个电子后不形成硅离子

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/21 11:54:52
霍尔效应实验中如何鉴别N型半导体和P型半导体

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型.由于空穴和电子带电性不同,给一块未知类型的半导体施加恒定的电流,半导体内的空穴运动方向与电流方向相同,电子运动方向与电流方向相反.再给这块半导体施加一个垂直

在Na Mg Al Si P S Cl 中分子中含有两个原子物质的化学式为什么是氯分子Cl2

1.注意其化合价就行,正负化合价绝对值要相等熟悉了以后就直接写了,很快的有:NaCl,MgS,AlP2.这个在初中不解释,在高中也只是粗略解释主要要运用化合价的饱和性的性质加以说明只要记住氯气为双原子

在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?

答:1)对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射;2)对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射;3)电离杂质

在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体吗

可以.有一种高阻半导体采用三、五族元素补偿掺杂得到,多掺一点儿三族即显示P型半导体性质.不过补偿掺杂通常会产生大量缺陷,晶体质量不高.

为什么要叫N/P型半导体

双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体.P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质,如硅中掺入杂质硼,这样的半导体中多数载流子是空穴;N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质,如硅中掺入杂质磷,这样

怎样在p型半导体上形成pn结

必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块氧化膜,然后再在切除位置向里面扩散磷(磷的化学式是P,LS说错了)就可以了大概就是个这,其中的细节还是很多的,这个要牵扯到工艺

P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?

理解的有一定的深度,空穴是不同原子间形成共价键.共价键使不同原子公用电子,达到最外层八个电子的稳定结构,如果还有原子剩余电子,则该电子自由.于是材料靠电子导电,即为N型.否则电子不足,照样共价后,便在

在二氧化硅晶体中为什么说每个Si原子被12个最小环所共用?

二氧化硅结构在大多数微电子工艺感兴趣的温度范围内,二氧化硅的结晶率低到可以被忽略.尽管熔融石英不是长范围有序,但她却表现出短的有序结构,它的结构可认为是4个氧原子位于三角形多面的脚上.多面体中心是一个

本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求

1)首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性?

晶体管中加入了微量元素,会破坏原晶体内的电位平衡,在晶体内部产生空穴和电子的对流,但是记住,这是在半导体内部产生这种对流,进而产生内电场,生成电位差.但对于整个的晶体来说,中和一个电子必占用一个空穴,

为什么N型半导体中不导电的是正离子而P型半导体是负离子

假设半导体是硅N型半导体中掺杂的是Ⅵ(5)族元素比如P磷当磷占据一个硅原子的位置时,磷元素外围的5个电子4个形成共价键,还有一个形成自由电子所以N型半导体导电的是电子相反,P型中掺杂3族元素如B硼你可

为什么绝大多数的集成电路都采用了Si半导体?

因为Si半导体的技术非常成熟并且原料成本很低,是继锗之后最先研究的半导体材料,非常具有代表性所以教材中也大都讲的是Si工艺.集成电路非常昂贵,每一条生产线都要用好久,并且第三代半导体上做集成电路也是最

p型半导体中的杂质原子为什么会成为不可移动的负离子?而不是正离子?

如果是单一杂质,那么它能使半导体变成P型,就证明它是受主,受主就多电子.比如B在Si中,Si4个电子,B3个电子,但是掺杂后,B多了一个电子.如果是多种杂质,就有了杂质补偿效应,看是受主多还是施主多,

为什么P型半导体的电阻率比N型大

p型半导体中多子为空穴,主要靠空穴导电;n型半导体中的多子为电子,主要靠电子导电;空穴的迁移率比电子的小,所以p型半导体的电导率比n型的小,即P型半导体的电阻率比N型大.

P型和N型的半导体在有机和无机中定义相同不?

P型和N型半导体都只涉及到无机化学,只有一种意思,不管在有机化学还是在无机化学中.P型半导体:在本征半导体中掺入了硼,铝这类元素形成.N型半导体:在本征半导体中掺入了氮,磷等元素.