在PN结上加正向电压,PN的状态是什么-搜答案-智慧作业帮

pn结在未加电压前,就有扩散运动,且扩散运动在pn结两边形成内电场,该内电场抑制扩散运动,从而达到扩散平衡.此时,你加入正向电压（而不是电流）,达到一定的数值将抑制内电场,内电场重新变化,电荷带变小,

P型半导体因为得到电子显负电荷,N型半导体失去电子显正电荷.其内电场的方向是N→P.当P加正电压,N加负电压时.外电场的方向是P→N.也就是说正加负,抵消削弱电场,使PN结变薄导通.当P加负电压,N加

可以这样来理解,（1）P型半导体体内空穴浓度大,N型半导体电子浓度大,当P,N型半导体接触时,就会有电子空穴对的复合.P型（掺三族元素）,N型材料（掺五族元素）本来是中性的,P型部分区域的空穴被复合后

硅二极管差不多0.5-0.7V锗二极管差不多0.3-0.5V再问：再请问有关三极管的书籍能介绍点看看吗？

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

正向电流正常通过,反向会出现一个壁垒阻止电流通过.反正就是PN节一边只能存在正电荷一边只能存在负电荷,正负相吸就过去了,正正相撞就过不去了.具体语言自己组织吧.

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

热敏电阻吧有正温度系数和负温度系数2大类实际应用中没有用二极管做感温元件的

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.P型半导体（P指positive,带正电的）：由单晶硅通过特

因为自建电场方向是反向的

将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导

加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

这个问题你最好看一下PN结的伏安特性曲线或二极管的伏安特性曲线（或者你看一下三极管的输入特性曲线）.仔细看一下,在正向特性上,随着UBE会随着Ib的电流增大而增益.这个就是半导体的非线性,理论上说,对

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向