图示放大电路中,三极管β=50,Rbc=1千欧,r2=3千偶

RB是三极管的基极偏置电阻,它的作用是为基极一个小的电流,即提供一个合适的工作点,如果没有这个电阻,那么静态工作点将建立不起来,从而造成三极管也工作不了.RC是集电极负载电阻,它的作用是给三极管提供一

这个信号应该是基极高电平的时候.三极管导通,IO拉低为低电平.基极为低电平的时候,三极管截止,IO输出的高电平.不是放大电路

看了网友的回答,我忍不住说一下：三极管的直流放大倍数是hFE－－－hFE＝直流IC/IBβ是指三极管的交流电流放大倍数－－－β＝输出交流电流/输入交流电流.β要比hFE小一点点,因为只是一点点,通常把

C1C2是耦合电容把交流信号耦合进来隔离直流信号r1,r2为偏执电阻

如果不加电阻的话,三极管只能起到一个开关的作用.也就是通过控制基极的电位高低来控制集电极和发射极的通断.而且,在放大电路中,这个三极管偏流电阻的大小也是有讲究的,你最好是能找基本关于电子电路基础的书来

三极管EM2模型中,基极内部等效电阻.一般是100欧左右,具体值在三极管的器件手册中会给出.

当U1=3v时IB=(U1-Ube)/Rb=15uA小于IB一撇所以处于饱和状态···怎么个情况---------------现在应该是放大状态,当大于IB一撇时,才是饱和状态.

Ce是旁路电容,它使得Re只对直流信号有负反馈,对交流信号无负反馈,目的是既达到稳定静态工作点,又不至于使交流放大倍数下降.这个电容一般是有极性的电解电容.对于这个电路的理解,要主意到它是交流放大电路

Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c

1、先求出a图的输入电压：U*50*3000/(1000+50*3000)=5,解得U=5.0333V合上开关后输出电压为：5.0333*50*1500/（1000+50*1500）=4.934V,基

这个问题若是针对反馈判断,基极与发射极同相,与集电极反相.

1,直流电路如图2,先求B点电压,VB=Rb1*Vcc/(Rb2+Rb1)VB=UBEQ+(1+β)IBQ*Re,1+β约为βIBQ就求出来了,然后ICQ=β*IBQ,求得ICQUCEQ=Vcc-IC

也可以叫做下拉电阻：电阻器防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作,使晶体管截止更可靠!三极管的基极不能出现悬空,当输入信号不确定时（如输入信号为高阻态时）,加下拉电阻器,就能使有效接地.特别是GPIO

为了给三极管提供合适的基极静态偏置电流,让三极管有一个合适的静态工作点.

(1)IBQ=(VCC-VBEQ)/RB=(12-0.7)/500k=0.0226mAICQ=β*IBQ=80*0.0226=1.808mAVCEQ=VCC-ICQ*RC=12-1.808*5k=2.

共射放大电路集电极极性和基极相反,共基极电路,集电极和发射机极性相同

发射极电流＝集电极电流＋基极电流．即Ie＝Ic＋Ib,将它们的绝对值从大到小顺次排列IeIcIb．如给出的电流是正值为NPN型三极管,如给出的是负值为PNP型三极管．

判定这个首要的条件是电路要处于放大状态,电路处于放大状态时,三极管总的来讲.发射结正偏.集电结反偏.也就是说基极电压要大于发射极电压,集电极电压要大于发射极电压.硅管偏压在0.6-0.7伏.锗管偏压在

这要看具体电路,三极管在电路中可以对声音进行放大,也可不放大或进行衰减.如设计在放大电路中一般在几十倍左右,由元件参数、电源电压、电路类型等决定,很难一概而论.

极性电容用做耦合电容的前提是：正极的电压一定要比负极的电压高.虽然电解电容正极性的电压始终比负极性的电压高,但是这个压差的大小是随着输入信号的大小变化而变化的,所以就能将这个电压的变化量传递到下一级电