可控硅导通电阻

0.65V

理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的,而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响,在导通时实际上两端还有一个电阻,这个电阻一般在几欧到几十欧之间,被称为导通电阻.至于你的后半句,正向电压.,没有这

电源线规格应该以截面积表示,例如0.50.751.01.5,单位是平方毫米.准确计算它的电阻,应该以下列公式计算：R=p*L/s.式中,R--是电阻,单位是欧姆；p--是电阻率,L--是线长度,单位是

电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF

在导通情况下,用万用表测量电阻值是不准的.根据戴维南定理,二端口网络的电阻是两个支路电阻的并联值.因此,要串个万用表测电流,在导通情况下,再使用另一个万用表测量其Vds.电阻等于电压除以电流.当然,这

粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源.设计电阻阻值来限制电流,测试MOSFET两端压降U/I=R

阻抗（impedance)是指在交流电中,电路对于电流的总的阻碍作用,是由纯电阻、容抗、和感抗组成的；导通电阻（risistance)是指阻抗中能够把电能转换成内能的部分,是纯电阻,不管是在直流电路还

不大,欧姆级的.如果用于接通几K以上的电阻没有问题,一般放大器的电阻不可能太小,因此可以使用.CD4051就是常用的模拟开关.

一个三极管导通后,它的BE极的电阻并非为0的,而是有一定的阻抗,这就是导通电阻.它并不是一项指标,只是一个特性.在电路中也就是增加了回路的阻抗.

集电极和发射极饱和电压典型值VCE=0.2v,发光管正向电流的典型值16MA,3,4脚极限值50mA.(建议最大10mA).

理想的二极管,无论导通还是不导通正向的电阻都是一样的,因为波形是一个直角形而实际的二极管是一个曲线,随着电流的增加导通电阻就会变大,而在不导通测试的时候,会有一个很小电流经过二极管,所以导通电阻就比较

当某一路模拟开关处于导通状态（“on”）时所呈现的等效电阻,称为该路模拟开关的导通电阻Ron.当信号电压和模拟开关的工作电压变化时,Ron有些许的变化.对Ron的测试条件要符合模拟开关正常工作条件的约

WESTCODE公司出的N1467NS200型号晶闸管能过平均电流1467A,导通电阻为0.272毫欧.N3012ZC200过平均电流3012A,导通电阻为0.16毫欧.N4085过平均电流4085A

一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压.以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态.另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉

阻容电路有吸收高次谐波和提高可控硅抗干扰能力；而压敏电阻在输出电压出现异常升高能保护可控硅.这两种措施都是用来保护可控硅可靠工作而设的.当阻容电路损坏后有可能不会马上体现出来,但却会让可控硅工作时可控

导通电压：VG=0.2V-1.5V电流:A、工作在I、II、III象限时电流最大为50mAB、工作在第IV象限时电流最大为100mA

电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF选用2.5

RC回路中的R8电阻1/8W足够了另外R6电阻的功率根据双向可控硅IGT1和IGT3的大小来计算,一般1/4W也足够了再问：昨天我用1/8W100欧的，0.22UF接的一会电阻就黑了，负载3000W。

如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5F选用2.5F,1kv的电容器电阻的选择：R=((2-4)×535,

那个吸收的无感电阻一般在正常的情况下,温度是100~200℃.如果过高,可能是：选型不合理或者吸收电容击穿、变值等等.再问：谢谢但平常观察也就50-60度而且功率在225kw时还只有50多度一升到30