半导体的导电能力随温度变化而变化的性质-搜答案-智慧作业帮

（1）由图可知，当温度为70℃时，发热功率和散热功率相等，即此时物体的温度不再变化；当温度高于稳定温度时，由图可知散热功率大于发热功率；由P=U2R可得，此时功率减小，而电压不变，故说明电阻在增大．（

增大.因为p=u*u/r,70℃之后,温度继续升高,电压必然继续增大,而发热功率p继续减小,则r必然继续增大.

如果考试你就填减小,是负温度系数,其实不一定的.再问：题中只提到R2为用半导体热敏材料制成的传感器，和R2处发生火警，应该怎么判断？再答：你是考生么？我不知道什么题目，但是大学之前一般都只是考虑空穴效

导体或半导体导电原理一样都是靠原子内部的电子运行轨迹的缝隙导电.这个缝隙的大小多少决定物质的导电性是否好.也就是说物质是否导电取决与原子外的电子环绕路线.原子核对电子吸引力的大小.而外界环境的改变对于

半导体导电原理半导体一般是由4价的硅或锗为主体材料,它们的晶体结构也和金刚石一样,每个原子由4个价和运转在空间等距、有序环绕,构成金刚石结构,很纯的单晶硅基本不导电.N型半导体在纯硅晶体中加了少量

金属导电是因其内的自由电子流动而成,半导体内部不仅有自由电子,还有空穴,其实质为假想粒子,两种粒子共同作用参与导电

这个变化很小可以忽略不记,只有热敏电阻才有变化的.

温度上升后,半导体内部的电子或者空穴摆脱原子核对其控制的能力就会增大,成为自由电子或空穴,从而以这些为基础的载流子浓度就会增大,导电能力也就增大.换言之,其最阻变大.

1.3÷0·1=30Ω.从图可知是25°.答案25°2,15°对应的是45Ω,P=U二次方÷R=0·2W.答案0·2W如有帮助,请采纳谢谢再问：谢谢了不过这是一道解答题再答：是解答题，过程就是上边的，

如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.\x0d如果是掺杂半导体,这个过程比较复杂,先下降,后上升,最后再下降.

（1）因电流表的使用时不能超过它的量程，所以当电流表达到满刻度时，电路中的电流为100mA=0.1A；此时，电路中的电阻为：R=UI=3V0.1A=30Ω；由图象可知，热敏电阻的阻值为30Ω时温度为2

第一问：3V/0.1A=30欧对应只能测量到25摄氏度的样子,再往高就不行了第二问：从图中可以看出,从0~20摄氏度,电阻随着温度的变化是非常敏感的,温度发生变化在电流表上能较准确反应,在20~50°

（1）因电流表的使用时不能超过它的量程，所以当电流表达到满刻度时，电路中的电流为100mA=0.1A；此时，电路中的电阻为：R=UI=3V0.1A=30Ω；由图象可知，热敏电阻的阻值为30Ω时温度为2

随温度升高金属导体的导电能力减弱,---即电阻变大.

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

如果是纯半导体,则其电阻率随温度升高而单调下降（因为T升高,本征载流子浓度上升,电阻率下降）.sssss

负温度特性是指温度变化引起的电参数的变化,两者方向相反.例如,负温度特性的热敏电阻,当温度升高时,其阻值是减小的.

半导体的导电就是PN结的位垒单向导电性,正向导通.反反不通.

因为电子随温度的升高而运动加速,所以导电性能提高.

半导体的导电能力介于（导体和绝缘体）之间.