半导体pn结壁垒

P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建

有人说用电流连续性或者粒子数守恒来解释,偶还是不很明白所谓的空穴,pn结正偏时,当PN结即将接触时,还没有形成空间电荷层,在P型半导体中的

    不管是N型还是P型还是本征半导体,稳定后其中的空穴和电子个数是相等的.       

只有这样才能形成从p到n的电流啊再问：我不明白的是：假如在P区的杂质是硼，硼与硅之间形成共价键，但这负离子怎么产生的？再答：这……所以半导体不会用这两种材料啊再问：P型半导体一般都是用磞元素和硅弄的。

本征半导体是完全不含杂质、晶格完整的单晶体n型半导体是指以电子为多数载流子的掺杂半导体PN结的_半导体是二极管--》读不通正常工作时工作在反向击穿状态的二极管通常是稳压二极管整流电路是二极管实际应用电

必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块氧化膜,然后再在切除位置向里面扩散磷（磷的化学式是P,LS说错了）就可以了大概就是个这,其中的细节还是很多的,这个要牵扯到工艺

不可能叫管脚的,管脚是芯片封装或者器件封装中才叫管脚的.不明白你问的是什么,是p型半导体和n型半导体中间就叫pn结.两种半导体形成的区域叫耗尽区.是问这个吗?

P->N为(0.6-0.8)

不能!但是把P半导体换成3价金属参考下肖特基肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件.

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

PN结结面积相当于一个电容的两端的面积,结面积小就相当于结电容小,那么带宽就会宽,高频性能好.

所谓的空穴,只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念.pn结正偏时,当PN结即将接触时,还没有形成空间电荷层,在P型半导体中的多子为Ph,少

因为半导体是由许多原子组成的固体,所以不能采用一般化学键的概念来分析半导体的性质.需要采用固态能带理论及其中载流子的特性才能很好地说明；特别是PN结还牵涉到少数载流子扩散等半导体物理问题.

是的.P型半导体是在单晶硅（锗）中参入微量三价元素,如的硼、铟、镓或铝等,就变成以空穴导电为主的半导体,即P型半导体.在P型半导体中,空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子.如果在硅或

PN结光电二极管与光电效应太阳能电池核心部分都是PN结,在基本工作原理方面具有相同点：它们的工作都是将光信号转化成电信号或者说将光电转化为电能.具体地说,当光照在半导体p-n结上,形成新的空穴由-电子

若是以最常见的整流二极管而言漏电流由以下6部分组成1.保护胶壳表面2.保护胶壳本体3.硅胶表面4.硅胶本体5.芯面表面6.芯片本体再问：若以半导体物理知识回答，是不是分为漂移电流（主要）、扩散电流和基

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是neg

我学到的知识是PN不会随电压的大小而发生宽度变化,只会在内部形成势能壁垒变化,这个变化才会导致PN结的导通或截止.

概念上的问题首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度.而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移

全部先弄成P或N区,再把这之中的一部分掺杂基本工艺是：氧化（制作掩膜）、光刻（刻出扩散窗口）、高温扩散（掺杂）,也可用直接的离子注入等方法实现掺杂.离开这一行业已很久了,8130即我原服务单位再问：我