化学气相沉积设备

两种色谱的心脏都是色谱柱,其他的设备都是为色谱柱服务的,色谱过程就是一个分离过程,流动相作为载体将样品送到色谱柱中进行分离.气相色谱法的流动相为气体就必须有气源,同理液相色谱法的流动相是液体,就需要有

根据设计水量选择设备,在选择溶气水量,为设计水量的40%,溶气泵扬程60-65m,加药系统根据小试加药量计算

(1)制氮机.目前在气调保鲜库上采用的制氮机主要有两大类型：吸附分离式的碳分子筛制氮机和膜分离式的中空纤维膜制氮机.(2)二氧化碳脱除机：二氧化碳脱除装置分间断式（通常称的单罐机）和连续式（通常称的双

大型气相沉积炉一台规格大约为5米高,2-3米的直径150-220温真空炉温度在2000度左右,高3米,宽3米左右要看有求450--1500

其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面.CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统,气相反应器,气流传送系统.反应物多为金属氯化物,先被加热到一定温度,达到足够高的蒸汽压,用载气（一般为Ar或H2）

手表外观的电离子的镀层,有抗腐蚀、氧化特性!

加热下酸性液体（多用硫酸体系）里,铝件为阳极氧化.

楼主概念不对膜层一般为蒸发镀膜、溅射镀膜、喷涂镀膜、电离镀膜等方法.溅射镀膜过程中,在靶与基体之间形成了含有离子、电子、中性原子团组成的对外显中性的气体,这就是等离子体.溅射镀膜过程分为物理气象沉积、

这是小学算术题吗.10-15um应该是每小时,那么10um基本上就是在60分钟左右了.

降解污水中含碳有机物并对氨氮进行部分硝化.我们就是做曝气生物滤池里的　载体－轻质挂膜陶粒的.TPFC　　　　江西萍乡拓步

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种合成方法,尤其适合于膜合成.而发光二极管（LED）是一种半导体器件,本无关联；只是LED中广泛用到膜技术制造.成膜技术很多,除了MOCVD外,还有低压CVD(L

定义　　MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.缩写　　Metal-organicChemicalVaporDeposition（金属有机化合物化学气相沉淀.原

plasmaenhancedchemicalvapordeposition

我以前的学位论文是关于等离子体化学气相淀积的内容.我不知道你用的等离子体是低温等离子体,还是高温等离子体.如果是高温等离子体（高于1500摄氏度）,恐怕没有现成的设备,需要自己设计、自己找生产工厂加工

pecvd等离子体增强化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应

是一会事,但镀速是很制式的称呼,沉积速度只是一般化学反应的速度,非正式应用于实际生活实践.

我们公司有CVD镀膜不过是在玻璃上镀的.再问：因为对这个不是很了解，但是都是用CVD方法，您觉得是否可以为3mm，4mm大小的圆形宝石镀膜呢？再答：不知道你原先在美国给蓝宝石镀膜是在线的吗？个人觉得离

CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程.在超大规模

除氧后水中硫酸钠与水中钙离子生成硫酸钙沉积在锅炉内壁生成硫酸钙水垢,硫酸钙垢不能用化学酸洗清除,给锅炉维修增加困难.剩余亚硫酸钠与钙离子生成亚硫酸钙水垢,亚硫酸钙垢在高温下分解为二氧化硫和氧化钙,造成

这是机理性的东西,CVD 法是在高温条件下分解含有C元素的原料气体,生成碳原子,甲基原子团等活性粒子,并在合适的工艺条件下,在基底材料上沉积出金刚石膜的方法.对于CVD 金刚石膜的