化学气相沉积法和物理气相沉积法的区别ppt

风力沉积是指在风的行径途中,由于携带物自身重力而沉降下来,一般不受地形限制.积沉积作用是因为水流速度的减慢和水流量的减小造成的

流水侵蚀是物理侵蚀可分为风化、溶解、磨蚀、浪蚀、腐蚀和搬运作用.这个分布就广了,有水的地方就有吧,被流水侵蚀作用形成的地貌:峡谷、瀑布、黄土高原的千沟万壑!(参考资料：高中地理必修1)流水溶蚀是通过化

大型气相沉积炉一台规格大约为5米高,2-3米的直径150-220温真空炉温度在2000度左右,高3米,宽3米左右要看有求450--1500

水蚀地貌应该不是专业词汇吧,形成喀斯特地貌的是岩溶,地表和地下均可发生黄河不会成为地上河的,因为它不同于黄河的是流经的地区多为碳酸盐岩,泥沙的携带量较少,而黄河流著名的黄土区,所以河流携带大量的泥沙,

其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面.CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统,气相反应器,气流传送系统.反应物多为金属氯化物,先被加热到一定温度,达到足够高的蒸汽压,用载气（一般为Ar或H2）

手表外观的电离子的镀层,有抗腐蚀、氧化特性!

楼主概念不对膜层一般为蒸发镀膜、溅射镀膜、喷涂镀膜、电离镀膜等方法.溅射镀膜过程中,在靶与基体之间形成了含有离子、电子、中性原子团组成的对外显中性的气体,这就是等离子体.溅射镀膜过程分为物理气象沉积、

先把化学方程式转化成离子式,再把失电子的“拿”出来,剩下的就是得电子的,这就是写电化学法的最简单方法.

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种合成方法,尤其适合于膜合成.而发光二极管（LED）是一种半导体器件,本无关联；只是LED中广泛用到膜技术制造.成膜技术很多,除了MOCVD外,还有低压CVD(L

定义　　MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.缩写　　Metal-organicChemicalVaporDeposition（金属有机化合物化学气相沉淀.原

plasmaenhancedchemicalvapordeposition

我以前的学位论文是关于等离子体化学气相淀积的内容.我不知道你用的等离子体是低温等离子体,还是高温等离子体.如果是高温等离子体（高于1500摄氏度）,恐怕没有现成的设备,需要自己设计、自己找生产工厂加工

沉积旋回是反映水动力强弱变化的典型标志,在深海没有沉积旋回,但是由于沉积物特征的差异会出一层一层不同性质的沉积,有点像层理,不能叫沉积旋回

pecvd等离子体增强化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应

利用点荷正负吸引,使其带电,然后再用反点荷去沉淀

是一会事,但镀速是很制式的称呼,沉积速度只是一般化学反应的速度,非正式应用于实际生活实践.

我们公司有CVD镀膜不过是在玻璃上镀的.再问：因为对这个不是很了解，但是都是用CVD方法，您觉得是否可以为3mm，4mm大小的圆形宝石镀膜呢？再答：不知道你原先在美国给蓝宝石镀膜是在线的吗？个人觉得离

CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程.在超大规模

金属、陶瓷、过渡族金属硫化物都具有以下的复合优化机制.其中“复合优化机制”翻译为Compositeoptimizationmechanism再问：TiB2的复合促使这里呢复合优化机制中复合我想用一个动

这是机理性的东西,CVD 法是在高温条件下分解含有C元素的原料气体,生成碳原子,甲基原子团等活性粒子,并在合适的工艺条件下,在基底材料上沉积出金刚石膜的方法.对于CVD 金刚石膜的