假设三极管的BE结电压为0.7v-搜答案-智慧作业帮

电路如图,三极管8050,RB用150K电位器代替可以调整阻值,RC=3K,三极管放大倍数取50-100都行.

在线测量电压,首先要找到公共接地点,黑表笔接地,然后用红表笔依次测量三极管的三个引脚,三极管一般不会直接接地（做控制除外)

让我跟你说吧.你的疑惑是VBE到底该是2V还是0.7V吧电路分析中有个等效的变换可以把基极等效成2V电压源与Rb=16.7K电阻串联这个电阻是要分担一部分电压的三极管的Vbe仍是0.7VVRb+0.7

1、先找出两个引脚电位相差0.7或0.4V左右的,0.7V的是硅材料,0.4V的是锗材料,这两个引脚一个是B,一个是E；剩余的一个就是C.2、看C的电位比这两脚高还是低,如果C的电位高,就是NPN型管

三极管在饱和状态下,Ic=b*Ib(b为放大系数）不成立（成立就是放大状态）.此时不可根据已知的Ib来计算Ic.再问：请问是否满足：Uce=Uces≈Ube,为什么？再答：不满足：Uce=Uces≈U

根据你提供的参数可以判断出这是一只硅型三极管,如果用万用表的正极连接三极管的基极,那么根据数据分析是硅NPN三极管.如果用万用表的负极连接三极管的基极,那么应该是一只硅PNP三极管.

发射结正向电压即正向偏置,集点结反向电压即反向偏置

npn型的,型号谁也不知道.参数不够

楼主,我来说一下吧：这里涉及到加负载和不加负载的问题,楼主说的是不加负载的情况,加负载后,由于并联一个负载,对于Ic会分流啊,不能再是VCC-ICQ*RC1了,楼主应该懂了吧,还有至于为什么Ucq1的

硅三极管BE间的门槛电压是0.7v,锗三极管BE间的门槛电压是0.2v,而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压,当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流.当外加电压大于门槛电时,BE开

那要看是什么电路,一般的话靠提高发射极电流或者是增大Rc\减小Re

根据我多年运用TIP31C的经验,这跟你饱和状态下的电流有关.基极电流要大于集电极电流除以放大倍数.将我用的数给你参考：12V电压200mA以下电流2K,24V电压200mA以下电流5.1K再问：TI

楼里两位网友的答案互有错对,正确的是：b图、Ib=(12V-0.7V)/300KΩ=0.0377mA,若三极管处于线性放大状态,Ic=β*Ib=50*0.0377mA=1.88mA,Vce=12V-3

（b）,导通.（c）截止（发射结反偏）

一般CE极工作电压是0．7V,电流是26毫安BE．．．．．．1．1－－1．4

Vbe都为0.7V,这是导通电压,T1的Uce=0.3V,Ie=（12-0.3）/（5.1+2.7）=1.5mA,rbe=rb+(β+1）*26/Ie=300+(100+1)*26/1.5=2K,小功

我的理解是：这句话错的,应该是NPN管；VCE正极性,也就是Vc>Ve,对于NPN管,在放大状态下Vc>Vb>Ve.而PNP管反之.

考虑D的压降是3.7V,但题目明确D为理想二极管---即正向压降为零,所以三极管T截止时,输出端F的电压被钳位在3V.

三极管是电流控制的器件,微小的基极电流变化,可以引起较大的集电极电流变化,这就是三极管的电流放大作用.如果没有集电极负载,稳定的直流电压直接加载在集电极上,结果就是三极管的消耗功率随着基极电流变化（U

这个问题你最好看一下PN结的伏安特性曲线或二极管的伏安特性曲线（或者你看一下三极管的输入特性曲线）.仔细看一下,在正向特性上,随着UBE会随着Ib的电流增大而增益.这个就是半导体的非线性,理论上说,对