二极管门电路如图所示.已知二级换vd1.vd2导通压降为0.7v,是回答说

起2个作用,箝位和隔离.所谓箝位,是利用二极管导通时其压降基本为恒定值(硅管约0.7V,锗管约0.3V)这一特性,将输入端的电压(电平)传送到输出端.隔离是利用二极管反向特性,隔离高电平不会反馈到输入

选A假设无二极管,则电阻与10V电池的节点处电势为-10V；电阻与二极管D的节点处电势为-5V；如图串入二极管可知,二极管D的正极为-5V>负极的-10V,所以正向导通；正向导通时理想二极管压降为0,

A、若小球带正电，当d增大时，电容减小，但Q不可能减小，所以Q不变，根据E=Ud=QCd=4πkQɛS，E不变所以电场力不变，小球仍然打在N点．故A错误．B、若小球带正电，当d减小时，电容增大，Q增大

二极管的制造工艺并不是想象中的简单的把P型半导体盒N型半导体结合在一起.或者说,二极管中的P型半导体和N型半导体是不对称的.有下面两种情况,这两种情况得到的二极管就分别对应N型和P型二极管在一片P型硅

二极管与门电路的工作原理用的是二极管的正向导通特性,即当A、B都置为高电平时,二极管截止,Y输出为高电平；当A、B中最少有一个置为低电平时,二极管导通,电阻承担了高电平电压,所以输出低电平.

MOSFET的反并二极管,是一个普通二极管!且只能当作普通二极管使用.boost电路,一般要选用开关二极管,快恢复型二极管.BOOST电路,使用普通二极管,输入电流肯定要上升一倍多,这是因为普通二极管

输入为峰值为8的正弦波,输出正半周>4的瞬时值部分被限制为4（水平）,其他部分（包括负半周）与输入同.

与或非与门或门非门

不管是什么电路,第一始终不开欧姆定理U=RI,第二要有通路,就是从电源到地的通路.你说的Vcc代表的正电源,而地一般用GND或接地符号表示.所以只需将欧姆定理运用到Vcc到Gnd之间的通路就可以了.比

由于电池的电压是15V,ui是幅值12V的正弦波,其最大值12V也比电池电压低,二极管始终处于导通状态,所以uo的波形和ui一样,是幅值为12V的正弦波.答：uo是幅值为12V的正弦波.再问：太给力了

凡是对脉冲通路上的脉冲起着开关作用的电子线路就叫做门电路,是基本的逻辑电路.门电路可以有一个或多个输入端,但只有一个输出端.门电路的各输入端所加的脉冲信号只有满足一定的条件时,“门”才打开,即才有脉冲

解题思路：二极管和电阻两端的电压=两个电源电压之和=5V（电流按照顺时针为正）,如果假设电阻上没有压降,那么二极管有正向压降,所以导通.那么Vo电压等于二级管压降（理想为0）加上5V电源电压之和,考虑

保护电机的,电机相当于一个线圈,开动和关闭会形成一个感应电动势,在开动电机时那个电动势就被二极管送到电源里,起到保护电机的目的

你是在陈述事实呢?还是对这句话有疑问?首先说你这句话是对的,内电场是半导体PN结的固有属性,由于PN结半导体间掺杂的不同,会使得N型半导体和P型半导体内的多少扩散少子漂移,最终平衡,形成具有特定电压的

你把图贴上来,否则我只能推荐你去看《数字电路基础》

在二极管上串入一个1K左右的电阻,接到DC5~10V左右电源上,等二极管发光后,在线用表测一下二极管两端的电压就知道了,电流一般10~25mA就可以了.这和

Iz是什么啊?S1断开的时候：V=5VIA1=(18-Uz)/R1=(18-5)/2=6mAIA2=0mAS1闭合：假设V导通,V=5VIA1=(18-Uz)/R1=(18-5)/2=6mAIA2=5

答案不是已经在旁边了吗?

或门就是在众多输入端（两个及以上）中,任何一个或者多个是高电位,那么在输出上（输出就一个端）就是高电位,两个二极管并联（负极并联）,那么在两个正极上不论哪个是高电位（要大于二极管的门槛电压）那么在负极