为什么用集成电路

主要原因是半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化,这样,不掺杂的地方相当于绝缘体,而重掺杂的地方则变成了良导体,因而能方便地做出各种各样的器件.锗是第一个用来制作半导体器件的材料,但很快就被硅

集成电路制造,芯片面积是第一要素部分元器件尺寸受限,是无法集成的,最明显的是电容和电感以常用的220V耐压的电解电容为例,要想在集成电路里实现220V的耐压、容值几十uF的电容,工艺成本本身就会很高,

wafer上有pad,通过pad和金属连接再问：那也就是wafer的一部分会被用于导通信号？再答：你是对的下图中中间那个方形的就是wafer,引出线的那两个大圆点叫PAD, 用于与外界导通.

万用表测试IC,测不出什么玩意来的,除非你知道IC的内部结构!测试集成电路是否烧坏或短路需要专业的知识,一般没有这方面知识和技能的人,可以通过仔细观察IC的外观,做出一些简单的判断：IC表面是否有烧过

硅是典型的半导体材料,且在晶体管性能上优于锗等半导体,所以它被选做集成电路的原料.

1.p的晶向估计不错,外延生长佳.2.p上做n+扩散在工业生产上比n上做P+成本低3.可以直接做nmos,nmos速度快4.可以起到保护作用,防止pn导通,有较大的内阻希望采纳,谢谢!

integratedcircuit（IC）

主要是针对的频率不一样,毫米波和微波的频率要比射频高.广义上说微波可以指300MHz-300GHz的信号,射频指3KHz-300GHz的信号,但是工程上他们通常表示特定频率的应用.射频集成电路（RFI

一般用的话,用整流桥,只是集成了四个或者六个二极管,不算是集成电路,交流电经过整流桥整流后变为直流电特殊用的话,可控硅整流桥,可以控制变成直流电的电压,同上,只是集成了四个或者六个可控硅,控制需要其他

因为硅是半导体,是制作集成电路的原料,具半导体性质的还有其他材料,但是硅晶相对的容易提炼,电路制作中容易控制,因而生产技术比较成熟,从而形成今天你看到的局面.

以差动放大器为例,如果以电阻做负载,要达到大的增益就需增大电阻的阻值,电阻上消耗了大量电压余量以至于差分对和尾电流源要进入线性区,因此限制了其增益的增大；而恒流源不同于电阻之处是,其具有很大的输出电阻

因为P型衬底直接做出的管子是N型的,NMOS是电子导电,其迁移率高于空穴.即速度快点

是指将很多微电子器件集成在芯片上的一种高级微电子器件.通常使用硅为基础材料,在上面通过扩散或渗透技术形成N型和P型半导体及P－N结.集成电路是半导体集成电路,即以半导体材料为基片,将至少有一个是有源元

对于数字集成电路,主要用来进行逻辑运算,与,或,非等由这些最基本的逻辑构成复杂的逻辑.现在计算机一般都很复杂,所以需要的晶体管也就很多.对于模拟集成电路,主要是用来放大信号,比如你手机Wifi等接收到

超声波清洗机主要是电源上面有电路.小功率的一般采用自激振荡方式,不需要集成电路.大功率的一般采用他激,一般用TL494,SG3525等电路.如果电源功能多,可能还会用到单片机,比如数字控制.

集成电路称“逻辑电路”,它的工作原理是传递0、1的电信号.1、0这两个符号,在电学中,可以分别表示为晶体管的开和关、磁盘的磁化和未磁化、光盘的平面和凹坑……而半导体,如硅,在元素周期表中它们处于金属和

因为Si半导体的技术非常成熟并且原料成本很低,是继锗之后最先研究的半导体材料,非常具有代表性所以教材中也大都讲的是Si工艺.集成电路非常昂贵,每一条生产线都要用好久,并且第三代半导体上做集成电路也是最

集成电路内部复杂,一般用万用表无法判断好坏.一般测量集成电路工作是看其在电路中的各个引脚的静态电压.与参考值比较,再分析出问题.一般集成电路较耐用,集成电路不正常首先应检查其外围的分立器件

不同的IC的表示形式可能不同.通用的逻辑电路,可能会用O表示.但对于ASIC(专用集成电路)来说,就可能不是这样,有可能是L1(表示LED输出),RELAY(继电器驱动输出).具体情况需要参阅产品的D

分立元件都是电路通用的,而集成电路都是在某个具体电路或某个领域专用的,在元件选择方面没有什么可比性.选择集成电路,主要看的还是它的功能是否符合需要,然后是各项性能指标是否满足要求.对于电路中来说,集成