为什么二极管温度升高反向漏电流变大

温度升高时二极管反向漏电流是要增加的．这漏电流不会饱和,会引起PN结的结温进一步升高,从而使得反向漏电流更要增加－更发热－更升温－－直到烧毁．

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

我们从分子力学分析吧,要让二极管中的电子-空穴能穿越PN结,它们必须获得足够的动能才可挣脱原有位置的分子应力,在低温时,粒子的热运动速度很低,必须增加足够的电场力来驱使它们脱离原位,这个电场力就要靠较

因为二极管的反向电流的大小是取决于PN结中的少子的多少,温度高时少子多,而与电压大小无关

硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3V,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分

这个你看一下对应的管子的伏安曲线就可以了.一般的分为电击穿和热击穿,前者可以恢复,特性和伏安曲线相图,后者就烧坏了.具体的型号,它的特征看它的曲线比较准确!再问：再问：再答：二极管加反向电压时，在起始

哈!电阻和击穿是二个概念.你的第一问那叫阈值,通俗点可叫“门坎”,也就是进门时脚必须提到那高才可进.你就提再高了可对它无效了.并因它本来是通的（门开着的）所以在这不叫击穿.反向击穿的意就是一个蓄水大坝

因为温度变化会引起本征激发的载流子浓度变化,从而导致反向饱和电流变化.再问：少数载流子的浓度变化和温度变化是不是存在一定规律，如果存在会是怎样的规律？再答：二极管的反向饱和电流Is与PN结相同，由少数

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C,反向电流约增大一倍.

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

反向饱和电流是由二极管内得载流子决定得

因为反向饱和电流是由少子漂移形成,而少子是由热激发产生,浓度很低,（故温度升高时,少子浓度变大,电流当然变大）,当反向电压还不太高时,几乎所有的少子都参与导电,即电流饱和现象,（只有电压超过某一临界值

阁下算问对人了,因为反向电流是由少数载流子构成的,而“少子”很容易从外界获得能量而活跃起来,使反向电阻剧变,故其反向电流会随温度变化.

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

导通电流增大.因为随着温度的增高,二极管的伏安特性曲线左移.

电子技术里面运用二极管就是利用了二极管的特征,就是具有单向导电性,正向电阻越小,导电能力越好,反向电阻越大,导电能力越弱,故.电流能通过时称正向,不能通过时称反向.再问：反向电阻越大，导电能力越弱为什

二极管是由半导体材料制成的,带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上,在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动),

我也见过这样的问题,我是直接换的日光灯和振流器,这样的故障是因振流器内元件因起的,直接买个换了就好了,买个新的也就在10元左右,再问：接触器是个遥控的接受装置是一体的出4个线三火一零镇流器在内部吧不懂

反向漏电流IR是决定整流二极管关断状态损耗的重要参数,在等效电路模型中,用高阻值的电阻Rp模拟漏电流的大小,一般来说,反向漏电流应当是很小的,但在反向过渡过程中,反向电流的峰值IRM对关断损耗的作用却

电子、载流子的不规则运动都会产生电路噪声,只要电路工作就会有噪声.相对来讲大功率二极管在反相击穿后产生的电流噪声较大,其实说穿了就是不规则运动加剧了.