为什么三极管基极的电流越大,它的集电极输出电压越大,不应该越小的吗?

三极管基极电流Ib的微小变化,将会引起集电极电流IC（较大）变化,这说明三极管具有（放大）作用.

用D1403作一个开关电路,因不知它的基极额定电流值,无法算出基极电阻用多大的,用电源稳压管7805供电,或LM317调整到1.5V供电.

晶体三极管的发明者巴丁(1908—)生于美国,少年时代就很用功,16岁考上大学,特别喜欢物理.早年他和另外两名科学家肖克莱和布拉坦一起,共同研究半导体锗和硅的物理性质.在一次实验中,他在锗晶体上放置了

进入微观世界里面看,你会知道,PN结正偏的时候,电流很大,我们说正向导通.当PN结反偏时,电流很小,因为PN结的光热作用,会有“少子”通过.再看看三极管的结偏压,正常工作的情况下,集电结处于反偏,发射

因为Iceo=Icbo＋Icbo×β.简单地说,Icbo流入基极,等效于基极偏流,因此它会被放大β倍出现在集电极与发射极之间,所以Iceo是Icbo与“被放大β倍的Icbo”之和.

我网上给你粘贴一段,你仔细读读就能了解晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,（其中,N表示在高纯度

三极管内的电流流向是这样的,小电流由基极流向发射极接地构成回路,而集电极的电流是由集电极流向发射极构成另一条回路,但集电极到发射极回路的电流大小与基极到发射极的电流成比例关系,相当于受到基极电流的控制

呵呵,比较难懂.看上去很抽象.但如果你明白了各个量之间的关系,又觉得原来如此简单的问题!因为发射极电流是基极电流的（1+β）倍,发射极电压=发射极电阻*发射极电流.发射极电压也就是发射极电阻上的电压.

追问：不能一个PN节相当于一个二极管（举例:肖特基的0.3v左右其他的0.7-1.3那样）没有电势差PN结不能正偏!基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小放大倍数90-120倍那样.饱和理当基极

当是PNP型三极管时,发射极发射的载流子是空穴,发射到基区后,会与那里的多数载流子电子复合,由于外加电场的作用先前复合了的电子就会“脱离”空穴,而空穴又会被新的电子重新复合,这个过程不断地循环于是就行

所谓饱和,就是Ic不受Ib的影响,且Uce电压接近0Ic最大为多少?Vcc/RcIc等于什么?βIbIb怎么求你会吧?其实饱和就是让βIb>Ic的最大值即可只要知道一个管子的直流增益以及集电极电阻就可

模电的问题.三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例（信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地）,当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流

这是共发射极输出特性曲线,是三极管最常用的放大工作状态,也最能体现三极管的性能.共基极和共集电极有各自的输出特性曲线,但用的相对少.

虽然集电结是反偏的,虽然基极是开路的,但是,晶体管芯,是块半导体材料.半导体材料,又不是绝缘体,加上电压,就有微弱的电流,这很正常.从集电区向基区出现的“反向饱和电流Icbo”,在基极没有出路,就流向

基极电流微小变化就会形成较大的Ic电流这就是晶体管的电流放大倍数.

因Iceo=Icbo+Icbo×β简单地说Icbo流入基极等效于基极偏流因此会被放大β倍出现集电极与发射极之间所IceoIcbo与被放大β倍Icbo之和

首先把三极管看两个背靠背的二极管.以NPN三极管为例工作原理：正常工作于放大状态时,因为基极电压高于发射极（b极和c极之间看成个二极管）,电路正偏,有大量电子流入发射极,形成Ie,电子原本要通过基极回

要首先查看9014的手册有一个最大发射集电流然后除以放大倍数得到的就是基极电流5v-0.7/基极电流就是你要的了但是建议不要这样做容易损坏三极管

不管NPN或PNP其主要都是PN晶体接面的关系形成空乏区,这个基极就是掌控这两边空乏区开关当BE顺向导通,带动集极空乏区也流通,BE导通电流越大,空乏区越小,CE也因为B极电子活跃而相形导通作用文字这

这个图的大概意思,是想利用一个信号源加载在输出端,然后测量信号源在输出端的电压幅度和电流,从而计算出三极管放大电路的输出电阻.思路没有问题,也可以仿真出来.但是问题在于这个电路中的偏置电阻都必须正确设