三极管饱和时Uce与Ube的关系

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

这个东西不是嘴巴说的,而是从三极管的输出特性曲线上查出来的.三极管的特性曲线可以用专门的仪器测出来,虽然不同器件之间曲线有所不同,但总体上的规律与书上的图是一样的.你随便找本摸电书看看,查一下三极管的

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

这个要看具体类型的,一般来说,总的规律是,小功率三极管这个电压会小一些,但大功率三极管,这个电压不小.1、饱和是一种状态,有程度深浅之分,而衡量深浅的重要标志就是这个UCE.2、一般认为,临界饱和电压

三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了

由输出特性曲线看出来的.再问：看不出来啊，输出特性曲线是指一定基极电流下，集电极电流与集电结电压uce之间的关系曲线，没提到电源电压ucc啊。不过uce=0时处于饱和区倒看懂了。再答：你看uce和ic

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

看工作点靠近哪个截止区还是饱和区,

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大