三极管集电结是哪两人极之间

很简单：查三极管的输入特性曲线从图中得知发射结临界导通时的电压和电流,然后偏置电压减去发射结临界导通电压就得偏置电阻上的电压,同时又知基极电流,一除就知道三极管临界导通时偏置电阻该取多大了.再问：如何

如果输入电压U提高R上的电压也会提高,B与E之间的电压基本保持不变.基极电流会增加,E极电流是基极的β+1倍例如：U=2伏R=1KUbe=0.7伏Ib=U-Ube/R2-0.7=1.3伏1.3/1=1

开关管一定是让三极管饱和导通和截至,饱和导通时驱动电流足够大,三极管进入饱和区,饱和区的特点是UCE～0.3V（对一般的小功率管子而言）.至于UBE,一般近似于0.7V.

三极管的工作原理及基础知识1三极管的结构和分类其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历.通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两

正如楼上所说,电阻是Q1的负载电阻.少了它Q1就没有意义了.Q2也就得不到应有的电压和电流.因为只有Q1有了负载,才可能有输出.如果没有负载,就没有输出了.而没有了输出.Q2哪来的输入呢?至于用多大的

pnp型三极管,C极为负电压,E极为最高电位,在共射状态下,E极接“正地”,则Uc＜Ub＜Ue.不论管子在何种电压下工作,放大三极管的Ub与Ue之差很小,锗管为－0.2V,硅管为－0.6V.“b点电位

C饱和.对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>U

①发射区的电子向基区运动           如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子

MOS管,三极管属于两种不同类型管子,它们的区别在于,MOS管是单极性管子而三极管属于双极性管子,这个单极性和双极性的意思是来自于半导体内部载流子类型而区分出来的,所以单极性就是一种载流子而双极性就是

注意：“输入5V,那么分压点Vb电压是3.4V”的前提是两个电阻分压,但没有晶体管的情况下.一旦接入晶体管,be结必会导通,Vb的电压就被箝位在0.65V上,就不再是两个电阻分压了.应该理解成“4.7

是集电极和发射极二间的电压.

N指多子的电子的半导体,P指多子为空穴的半导体.NPN顾名思义,就是中间是P型半导体,两头是N型半导体了.PNP一个道理.三极管放大的基本条件是：发射结正偏,集电结反偏.两种三极管工作的时候,电源极性

因为没有看到图纸,大概分析有两种可能：1、如果BE之间有电阻,且BC间也有电阻,分析这两个电阻很有可能是偏置电阻,为三极管提供稳定的静态工作点.2、如果BE之间有电阻,而BC之间没有电阻,则BE之间的

三极管有三个电极发射极（e),集电极(c),基极（b)现在讨论他们的关系及原理：以npn为例发射极是n型高参杂浓度高多子是电子基极是p型低参杂多子是空穴集电极是n型当加入直流电压使得发射结正偏集电结反

三极管基极与集电极电阻的作用就是给三极管提供基极电流.还有就是起到负反馈作用.

因为当三极管基极有一定电压使三极管处在放大区域时,Ic具有恒流特性,所以当处在放大区时基极跟集电极电流的关系就为：Ic=β*Ib.这个β跟PN结掺杂有关,跟集电极面积有关,至于这是为什么说起来比较麻烦

mos管也叫场效应管,在当今电子元件中用的比较多三极管是过去经常用的用法基本差不多,场效应管体积要小,工作要稳定一些

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

你的问题太笼统了,无法确定!抱歉1楼,在目前所得的这些信息情况下,你说的肯定不对,嘿嘿

三极管内部包含两个PN结,分发射极、基极和集电极,其中基级和集电极之间电压是不固定的,而发射极与基极之间一般是0.7伏的电压