作业帮三极管电位变化
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/15 16:13:22
npn：be=0.5-0.75v时：ce1v放大be
NPN硅管：如果B比E高0.55－0.75V,CE极电压小于0.5V,则可以认为是饱和状态；如果CE极电压高于1V,可以认为是放大状态或截止状态,然后再测BE极电压：高于0.6V可认为是放大状态,低于
动作电位由钠离子内流引起,当膜外钠离子降低时,内流钠离子减少.动作电位减小.
金属腐蚀一般为电化学腐蚀,发生腐蚀---构成腐蚀原电池,一般阳极电极电位负移,阴极电极电位正移,构成材料的腐蚀电位.金属表面阳极和阴极的初始电位分别为Ea和Ec.金属腐蚀时,由于极化作用,阳极和阴极的
这是硅管NPN1,e（发射极） 2,b（基极） 3,c（集电极）由于1,2之间的电压降是0.7V,所以判断是硅管,而且电位高的是基极,比它的电位低0.7V的就肯定是发射极,最后剩下的那个6V的
如果基极和发射极电位很接近,则此PNP三极管肯定不工作;如果基极比发射极低约0.6V左右(此处以较常用的硅管为例来说明,如果是锗管则为0.3V左右),集电极电位比基极低很多但明显高于0电位,那么它是工
共射,共集,共基都是对于交流信号而言的,所以看看交流电压那个接地了,就是共那个了!例如发射极交流接地,则是共射放大电路．集电极交流接地了,就是供集电极放大．基极交流接地了,就是攻击机放大电路!
如果三极管是完好的,那么对于NPN硅管,当基极电压高于发射极电压0.6V~0.7V、集电极电压高于基极电压时,处于放大区；当基极电压高于发射极电压0.6V~0.7V、集电极电压低于基极电压但高于发射极
以npn管为例:基极电压上升集电极电流增大ic=β×Ibie=ic+ib射级电压上升,集电极电流减小,可以先计算出Ib,集电极电压上升,对集电极电流的影响很小,基本可以忽略,决定于管子的型号,输出阻抗
欧姆定律啊.只要电流在变化就必然有通过电流的电阻两端的电压变化.U=I*R
由外正内负的静息电位变为外负内正的动作电位
100%是NPN,3V脚是发射极,3.4V脚是基极,9V脚是集电极.两个脚的电压差
饱和氯化钾可能有问题吧,清洗干净,重新弄一次试试查看原帖
你的意思就是要在电源的负端加一个（电子）开关,然后用高低电平来控制这个开关吧?!用一个三极晶体管也可以来完成,但最好说清楚你的负载（即接在开关后面的是什么?）,有时简单的电路未必能适用你的要求.
根据BE间偏压来判断,一般基极容易判断,然后看B--E间电压（一般电路）为正的是NPN型,反之为PNP型,另外B--E间偏压不会太大（0.2--0.7左右,如果管子好的话）,如果太大可你量的是B--C
因为钾离子外流,不受刺激时是外正内负,受刺激相反.至于电流,在同一根神经纤维内是双向的,是电信号,在两个神经元之间有一个特殊结构叫突触,电信号在这里变为化学信号,由上一个神经元传给下一个神经元,此时是
选e.突触后膜的局部去极化电位称为兴奋性突触后电位(EPSP)
解题思路：神经冲动的产生和传导解题过程：【分析】本题考点是神经冲动的产生和传导，要求考生能理解神经细胞静息电位的有关知识，把握知识间的内在联系，并能用图表形式准确描述神经细胞静息电位有关知识的内容。&
三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?回答肯定是高电位1发射结反偏,集电结反偏：管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压；2发射结正偏,集电结反偏：当Vbe0.5v,管子开始导通,进
说明：IPSP是突触后膜离子通透性变化所致,与突触前膜无关.再问：还不是我想问的呃