三极管是由二个pn结管合成正确吗?

当然是发射结了,它是发射电子的,面积比集电结（它是负责收集电子的）大不少.

楼上的答非所问,我明白你要问什么,其实三极管的两个PN结在加正向电压的时候都是0.7V,也就是说你说的VBC也是0.7V.但是实际的应用中我们一般是人为的让VBE=0.7V,VBC不让他等于0.7V.

三极管的pn结作用跟二极管的pn结完全不相同.从物理结构上讲,三极管的集电结近似为二极管的pn结,也就是说,三极管的基极与集电极之间可以当一个二极管用.但发射结是完全不一样的.

mos管叫场效应管,mos管和三极管不能直接代换,因它们的工作机理不一样.mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件.再问：请问照你这样说，mos管就是有电压才放大电路？三极管就是有电流才能放大电路

1.反向击穿特性2.共发射极组态(电压放大倍数大)共集电极(带负载能力强)共集电极(信号源输出电流小)共基极(高频电路)3.N型半导体多子为自由电子少子为空穴4.对称性的特点.抑制零点漂移能力,放大差

从工艺角度讲,常说三极管从集电极到发射极相当于两个背向的二极管PN结,但从三极管使用功能上讲则完全不等同于两个背向的二极管PN结.使用中三极管是电流控制元件,二极管仅是单向导通原件.

P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN结两侧的积累,形成电偶极层(图4).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行

我来说明这个问题吧P极是没有电子的空穴N极是有电子的,N极的电子向P极运动,在NP的交界点周围产生正电场在P极因空穴向N极扩散也在PN交界点产生正电场当这两个方向相反的电场达平衡时就会阻止自已的电子和

晶体管的击穿分为一次击穿和二次击穿,一次击穿又称雪崩击穿.一次击穿是一种可恢复性击穿；二次击穿为不可恢复击穿,或称破坏性击穿.

共基极、共发射极、共集电极其中共发射极是最常见的,也是教科书上最常见的形式,具有反向电压放大的功能,

不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的B

基极电流是已知参量,所以顺着pn结方向.集电极电流是随着基极电流而出现的,所以集电极电流必然顺着基极电流方向.对NPN管来说,就是集电极电流与基极电流一齐汇集到发射极成为发射极电流而流出.以NPN管为

A、由原子可知，化合物1、的原子全部生成化合物2，没有其它物质生成，反应1→2中原子利用率为100%，故A正确；B、化合物2分子中含有酯基、醇羟基，可以通过酯化反应发生缩聚反应生成高聚物，故B正确；C

不管NPN或PNP其主要都是PN晶体接面的关系形成空乏区,这个基极就是掌控这两边空乏区开关当BE顺向导通,带动集极空乏区也流通,BE导通电流越大,空乏区越小,CE也因为B极电子活跃而相形导通作用文字这

三极管在用的时候,并不是交流单独使用,而是交流和直流一起使用的,也就是在交流通路的时候,也有直流电源给晶体管供电,保证晶体管处在正常工作的状态,在静态工作的时候,所求得各类电压电流就是那个电路的静态工

单单是三极管是不具备信号放大作用的,需要周围接入电阻配合起来才有放大信号（不是功率放大）作用

看具体型号,1N4148(注意是1,不是I,念I是外行)的反向恢复时间不过4ns,三极管的工作速度比这个高得有的是,比如9018,理论上Ft可以达到1100MHz.一般说来三极管的开关速度跟二极管不是

不能三极管和二极管的区别是内部PN结个数不同与引脚个数不同及外型的不同!三极管和二极管最大的区别是作用的不同!二极管的作用为检波,整流,稳压,开关,单向阻隔等!三极管除了兼容二极管的作用还有独特的非线

以NPN管为例,三极管共有两个PN结：b-e间的PN结和b-c间的PN结.在三极管正常工作时（在放大状态下）,b-e间的PN结是PN通（正向）,b-c间的PN结是NP通（反向）.

二苯甲烷是由氯苄与苯在铝汞齐（或无水三氯化铝,或氯化锌）催化下反应而得.先将干燥过的苯与铝汞齐加热,然后慢慢通入氯苄,回流2h,冷却加水搅拌,静置除水,余下物用5%碱液洗涤,水洗,最后减压蒸馏得成品.