三极管放大饱和截止时三个电极的关系

三极管饱和时放大倍数与放大时取值已经不一样了,即Ic≠βIb正确.那么①饱和时的放大倍数怎么确定呢?答：这个还是最好是实际测量一下准确.不然也是可以计算的.关键是计算Ic.IC=(vcc-Uces)/

三极管电路的工作状态来源于三极管的状态当三极管饱和时发射结和集电结均处于正向偏置,对NPN管Ub>UeUb>Uc此时Ic不受Ib的控制当三极管放大时发射结正向偏置集电结反向偏置,对NPN管Uc>Ub>

这是一个锗管,因为有0.2V的基极差值,根据三极管工作原理,放大状态时,PNP型管电压情况是UcUe;所以你的三极管是PNP型,且0V是B极,-6V是C极,0.2V是E极

晕了,这个题怎么好多人问呢?难道很难吗?技巧：找出电位最低的（-10V).所有电位加+10.就变成了10,0,0.7V锗管的基极导通压降小于0.3.硅管高于0.7V.NPN管B比E高0.3或者0.7.

处于放大状态时的三极管,基极与发射极之间的电压基本等于二极管的正向导通电压.一般硅二极管导通电压在0.6到0.7V,锗二极管导通电压在0.2V左右,所以你的这只三极管是锗管.同时基极电压处于发射极和集

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

A发射结正偏,集电结反偏,0V为集电极,-10V为发射极,-9.3V为基极,VBE约等于0.7V,硅管共集电极放大电路.

1,对于NPN三极管,是基极,和集电极流入电流,发射机流出,所以Ib+Ic=Ie2,对于PNP则反之,发射机流入,基极和集电极流出所以Ie=Ib+Ic处于放大区（不好意思,把放大倍数30倍,看成50倍

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问：但书上写着Ub

这是我当年教电子技术时的一点心得,谈到三极管,初学的人很难理解,为了讲通讲透彻,我给学生做了一个形象的比喻：三极管就是一个资本家（全课堂哄然）,比如一个生产手机的资本家,生产一部手机,原材料100元,

0.7是管压降放大区和截至区的电压值不同你应该先看一下三极管的参数曲线

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

粗略估计A放大B饱和CD截止,上次回答你好像没给分.看你这次的了再问：不是我没给分,我不是这专业的,我怕答错了,晚上就要交答案了,能否不要粗略?,能确定吗

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：发射结正偏,集电结反偏——放大状态；发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态；发射结反偏,集电结也反偏——截止状态.这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入

共射放大电路集电极极性和基极相反,共基极电路,集电极和发射机极性相同

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

判断三极管工作在什么状态,要按照三个原则,第一,如果发射结反偏,管子截止；第二,发射结正偏,集电极反偏,管子在放大状态；第三,发射结和集电极均正偏则在饱和状态.至于击穿,并非三极管的工作状态,具体的击

因为减小RB电阻,会使静态工作电流增大,最好检查距离饱和区还有多远,如过有段距离,可采用减小负载电阻,或改变负反馈的发射极电阻,总之,原则是在最大输出不失真幅度下,尽可能减小静态电流,可减小功耗和噪声

看工作点靠近哪个截止区还是饱和区,

在回答问题之前,需要先说说三极管的结构,这样方便理解.以NPN管为例,它是由三层半导体材料构成的（N型半导体材料+P型半导体材料+N型半导体材料）.在中间的P型半导体材料与两端的N型半导体材料之间,都