三极管处于饱和区时,集电极对发射结电压很低,相当于开关断开

基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

不考虑ICBO、ICEO等uA级的电流.IE和IC之间就差值就是IB.因此可以认为相等.不妨碍一般电路设计和应用.基本上也不影响低功耗设计.

①发射区的电子向基区运动           如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→R1→b→e→地；IC：VCC→R2→c→e→地；IE=IB+

npn型的,型号谁也不知道.参数不够

基极电流=-50mA,集极电流=-500mA时,集、射极跑和电压不会高于-0.5V

不考虑元件的质量,是没有电流的.

答：1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直

以下以NPN管为例：三极管做开关应用的电路是：电源正极－－负载－－三极管C极－－三极管E极－－电源负,把三极管的C-E极之间看成是一个开关.三极管饱和时,C-E看成短路即开关通,截止时看成断路.要让三

三极管在集电极和发射极接反时也可以工作,只是放大倍数很小只有几,正常时放大倍数一般是几十到几百,这时它的击穿电压也比较低,一般在十伏左右.放大倍数是整个三极管的放大倍数,不是哪个极的放大倍数.

共射放大电路三极管不管处于任何状态,基极到集电极之间是没有直流电流流过的.即使处于饱和状态,以NPN为例,此时,基极比发射极高出0.7V,集电极比发射极的电压怎么都会高一些,所以基极比集电极高出的电压

饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和;上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止;固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为

三极管工作在饱和态时,发射结正偏,集电极正偏.以NPN三极管为例,饱和态时,发射结正偏,使发射区的多数载流子自由电子越过发射结,部分与基区的空穴复合形成基极电流IB,而集电极正偏,使集电区的多数载流子

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

高电位到低电位   就像水向低处流  不会倒流的  顶多会截止了