三极管处于饱和.放大和截止状态时发射结.集电结的偏转情况

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

三极管电路的工作状态来源于三极管的状态当三极管饱和时发射结和集电结均处于正向偏置,对NPN管Ub>UeUb>Uc此时Ic不受Ib的控制当三极管放大时发射结正向偏置集电结反向偏置,对NPN管Uc>Ub>

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

1,对于NPN三极管,是基极,和集电极流入电流,发射机流出,所以Ib+Ic=Ie2,对于PNP则反之,发射机流入,基极和集电极流出所以Ie=Ib+Ic处于放大区（不好意思,把放大倍数30倍,看成50倍

三极管饱和时：发射结和集电结都是正偏.但Ube≠Uce,应该是Ube≈Ubc,且Uce≈0.1V,更不可能Ubc=0.因为饱和时发射结必须流过一定的偏流,Ube不会小于0.65V.再问：但书上写着Ub

这是我当年教电子技术时的一点心得,谈到三极管,初学的人很难理解,为了讲通讲透彻,我给学生做了一个形象的比喻：三极管就是一个资本家（全课堂哄然）,比如一个生产手机的资本家,生产一部手机,原材料100元,

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β＝

减小基极电流.使VCE增加,三极管就由饱和导通转换成放大状态这种说法不对,VCE也起着重要的作用,VCE=VCC时就是截止状态,VCE接近0V时就是饱和状态,饱和时VCE有可能小于VBE,还要,要想放

看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点

a、饱和,发射结、集电结均正偏,饱和,b、截止,发射结、集电结均反偏,截止,c、损坏,发射结电压＞0.7V,损坏d、放大.发射结正偏、集电结反偏,放大.若有帮助,请釆纳,谢谢!

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

以下以NPN管为例：三极管做开关应用的电路是：电源正极－－负载－－三极管C极－－三极管E极－－电源负,把三极管的C-E极之间看成是一个开关.三极管饱和时,C-E看成短路即开关通,截止时看成断路.要让三

粗略估计A放大B饱和CD截止,上次回答你好像没给分.看你这次的了再问：不是我没给分,我不是这专业的,我怕答错了,晚上就要交答案了,能否不要粗略?,能确定吗

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定：发射结正偏,集电结反偏——放大状态；发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态；发射结反偏,集电结也反偏——截止状态.这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入

E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管.再问：意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？再答：硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断P

饱和和截止

判断三极管工作在什么状态,要按照三个原则,第一,如果发射结反偏,管子截止；第二,发射结正偏,集电极反偏,管子在放大状态；第三,发射结和集电极均正偏则在饱和状态.至于击穿,并非三极管的工作状态,具体的击

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

发射结正偏就是:基极电压大于发射极电压集电结反偏是：三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.在放大电路中be结正偏,bc结反偏,三极管工作在放大区,在数字电路中bc结0偏或反偏

在回答问题之前,需要先说说三极管的结构,这样方便理解.以NPN管为例,它是由三层半导体材料构成的（N型半导体材料+P型半导体材料+N型半导体材料）.在中间的P型半导体材料与两端的N型半导体材料之间,都