三极管Ic饱和时为什么不随Ib增大?

如果集电极接有负载电阻,饱和时基级电流仍然流向发射级,仍然是Ie＝Ib+Ic.如果集电极不接电源（通常作为衰减式电子开关用）时,集电极一般有隔直流电容,此时集电极没有静态电流.

Ic过大对应于Ib过大,使三极管趋近或进入饱和区,在输出特性曲线中直流工作点偏左上,beta降低.

对于npn晶体管,发射极电流包括有注入到基区的少数载流子——电子的扩散电流,以及从基区注入到发射区的空穴的扩散电流（这是基极电流的一部分）.当发射结电压增大、使基极电流增大的同时,从发射区注入到基区的

三极管饱和时放大倍数与放大时取值已经不一样了,即Ic≠βIb正确.那么①饱和时的放大倍数怎么确定呢?答：这个还是最好是实际测量一下准确.不然也是可以计算的.关键是计算Ic.IC=(vcc-Uces)/

你说反了.三极管是用基极电流控制集电极电流,也就是如果当三极管处于放大区：当基极电流Ib有微小变化时,则集电极电流Ic会有比较明显的变化.用公式表示就是Ic=BIb（B表示贝塔,懒得打希腊字母了）,这

aa《模拟电子技术基础》对三极管的外特性有很清楚的描述:集极电流Ib增大时,假设放大倍数不变,集电极Ic也会同比例增大.根据外特性曲线,Ic增大后,直流工作点从放大区向饱和区移动,Vce会相应减小,等

我网上给你粘贴一段,你仔细读读就能了解晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,（其中,N表示在高纯度

hFE是一个会受IC影响的值,只是在一定的电流域内这个值几乎一样,手册上给出的Vce和Ic是典型的测试条件,也就是说在Ic这个值附近hFE值都可以近似的取手册给出的hFE值.有时候手册会给出两组Vce

三极管饱和时Ic电流不随Ib变化,如果此时Ib继续增大,Uce减少,这是叫做过饱和.这时Ic已经达到最大,这个最大值是由三极管的负载电阻决定的.

饱和区是很大的,只要饱和时Ic要小于βIb,可以无限大的,当然也不能超出最大IC值,不然三极管会烧的.饱和情况下,集电极回路阻抗变化,电流变化是对的.因饱和时,三极管VCE只是相当于一个二极管,是有一

在三极管放大原理叙述中三极管放大c、b结必须必须处于反向,在实际使用中带负载的三极管随着be电压的增加ib、ic也随之加大而uce下降、当达到Uc=Ub时ib即使再增加ic也不再继续上升即所谓饱和,并

三极管的作用是用输入回路端的一个小电流控制输出回路端的一个大电流,体现在两个不同回路的控制作用,就像你第一个问号之前描述的那样.但是你问的一根导线加一个电压使导线电流增加的现象是发生在同一个回路的事件

这是因为此时的三极管输出电流为最大值,当输入电压继续增大时,输入电流在增大,而由于输出电流已经是最大值所以无法继续增大,故不能按β倍增大,继续增大输入电流只会使得β继续减小,当输入电流等于输出电流时β

ΔIc/ΔIb表示集电极电流的变化量与基极电流的变化量.β是三极管的共射极电流放大系数,有些管子60-80,有些150左右等等,三极管具有电流放大能力,就是说,基极电流的少许变化引起三极管集电极电流较

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地）,那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V,

饱和区与放大区临界点~

三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定,即使电源电压不变,如果集电极电阻改变,饱和电流也会改变,当集电极电阻增大时,三极管的饱和电流减小,当集电极电阻减小时,三极管的饱和电流增大.

ib增大的原因是ube上升,即发射结正偏电压升高,必然使ie增大（比ib增大的量大得多）,所以

当不考虑少子运动时,Ic=βIb,当考虑少子运动时Ic=βIb+Iceo.不过少子非常少可忽略不计,其实在实际中β是通过测量出来的,为了精确一点就把少子算进去,形成一个较为精确的式子.这是我个人的理解

进入饱和后Ic不受ib的控制了,晶体管不具有放大作用.Ube=0.6-0.7v、Uce