三极管BC和BE级电压一样咋回事

三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真.在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时,IB变大,IC

三极管可以直接放大电流,电流通过电阻可以转换成电压,三极管放大电压信号就是先把电压通过基极电阻转换成基极电流,放大成集电极电流后再通过集电极电阻转换成电压.

三极管是电流放大期间,不是电压放大器件.三极管有个参数,就是电流放大倍数β基极电流*β=集电极电流.一点点的基极电压不足以让基极产生电流,有个死区电压,大约为0.3-0.5V.电压达到一定程度后,电压

以NPN型三极管接成的共发射极电路为例,只有在饱和状态下才能确保输出低电压,只有在截止状态下才能确保输出高电压,在放大区是高低电压都有可能的,所以在开关电路中三极管不能工作在放大区.Vbe=2.8V,

①发射区的电子向基区运动           如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子

你好：——★1、输入电压,应该高于TL431的稳压电压值,否则将达不到稳压性能.——★2、三极的作用是稳压输出,也叫稳压电源调整管.并非“增加输出电流”,而是稳压电源的输出管.——★3、在这个稳压电路

三极管作为开关管使用时,必须满足两个条件：发射结正偏,集电结零偏或正偏当集电结零偏时三极管处于临界饱和导通状态,当集电结正偏时,正偏电压越高,三极管饱和程度加深愈厉害,（深度饱和）.一般来说,运用时,

锗三极管电极的判别和硅一样的锗和硅,集电极与发射极的测试方法一样不是相反的

硅三极管BE间的门槛电压是0.7v,锗三极管BE间的门槛电压是0.2v,而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压,当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流.当外加电压大于门槛电时,BE开

直流电压吗.如果在基极有交流输入,那就可以了.只要交流信号超越了0.6v就可以强制导通.如果基极到低,有个电感,那也可以,交流信号会直接叠加,形成负偏压.

不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用.补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的B

一般CE极工作电压是0．7V,电流是26毫安BE．．．．．．1．1－－1．4

MOS是压控的,三极管是电流控制的,三极管可以放大电压,电阻电感接地要看图了

前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既

保险丝熔断应该与电压没关系,只于电流有关系.

正确的说法是：1.这个电路输出端电压等于稳压管电压减去三极管BE间的电压;2.当输出电压有倾向增大时,发射级电位升高,引起三极管集电极电流减小,这相当于三极管的内阻增大了,因而三极管集电极与发射级之间

三级管中反向电压主要考虑以下几点1.Vebo：通常三极管用于放大作用,发射结是正偏的,但有时三极管会工作在开关状态,发射结就要反偏,所以要考虑,发射结反向击穿电压,一般小功率的管子的Vebo能在几个V

电压,也称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量.电荷在电场中由于受电场作用而具有由位置决定的能叫电势能.既指电荷在电场中具有的能.又指电荷q由电场中某点A移到参

三极管内部包含两个PN结,分发射极、基极和集电极,其中基级和集电极之间电压是不固定的,而发射极与基极之间一般是0.7伏的电压

静态的工作点给它垫起来了.如图：再问：亲，加电容分离的输出信号应该是反向的，再有就是垫起来，怎么个垫起来法，发射级的pn结应为有静态点而导通，加上正向输入电压就应该是1+1=2的效果这个我想的通，如果