三极管bce电位判断截止状态

1.三极管饱和状态下的特点要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS.三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICR

npn：be=0.5-0.75v时：ce1v放大be

NPN硅管：如果B比E高0.55－0.75V,CE极电压小于0.5V,则可以认为是饱和状态；如果CE极电压高于1V,可以认为是放大状态或截止状态,然后再测BE极电压：高于0.6V可认为是放大状态,低于

对NPN三极管,工作在截止区时下UBE＜0,UBC＜0工作在放大区时UBE>0V,而UBC＜0工作在饱和区时UBE＞0,UBC＞0对PNP三极管,工作在截止区时UBE＞0,UBC＞0工作在放大区时UB

如果基极和发射极电位很接近,则此PNP三极管肯定不工作;如果基极比发射极低约0.6V左右(此处以较常用的硅管为例来说明,如果是锗管则为0.3V左右),集电极电位比基极低很多但明显高于0电位,那么它是工

放大区:BE结正向偏置,CE结反向偏置截止区,BE结反向偏置或者零偏饱和区:BE结与CE结均正向偏置其中各个区域主要是根据输入输出特性曲线区分的!

1,对于NPN三极管,是基极,和集电极流入电流,发射机流出,所以Ib+Ic=Ie2,对于PNP则反之,发射机流入,基极和集电极流出所以Ie=Ib+Ic处于放大区（不好意思,把放大倍数30倍,看成50倍

共射,共集,共基都是对于交流信号而言的,所以看看交流电压那个接地了,就是共那个了!例如发射极交流接地,则是共射放大电路．集电极交流接地了,就是供集电极放大．基极交流接地了,就是攻击机放大电路!

Uce接近0伏饱和,接近电源电压是截止

放大状态：Ic=Ib*β饱和状态：最大集电极电流=（Vcc-饱和压降）/Rc,约等于Vcc/Rc而Ib=（Vcc-Vbe）/Rb,约等于Vcc/Rb当Ib*β=Ic100）,显然只有C符合.

截止放大

数字电路里,晶体管基本上都是工作在开关状态,你可以判断BE是否导通,如果导通就直接认定是饱和导通,如果不导通则三极管截止,这跟放大倍数没关系.在饱和状态下,IC=BIB是不成立的（即IC与IB是非线性

如果三极管是完好的,那么对于NPN硅管,当基极电压高于发射极电压0.6V~0.7V、集电极电压高于基极电压时,处于放大区；当基极电压高于发射极电压0.6V~0.7V、集电极电压低于基极电压但高于发射极

CE间压降.等于1.4v(锗管0.6v)为饱和状态.大于1.4(锗管0.6)小于电源电压为放大状态.等于电源电压为截止状态.

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

粗略估计A放大B饱和CD截止,上次回答你好像没给分.看你这次的了再问：不是我没给分,我不是这专业的,我怕答错了,晚上就要交答案了,能否不要粗略?,能确定吗

判断三极管工作在什么状态,要按照三个原则,第一,如果发射结反偏,管子截止；第二,发射结正偏,集电极反偏,管子在放大状态；第三,发射结和集电极均正偏则在饱和状态.至于击穿,并非三极管的工作状态,具体的击

你的意思就是要在电源的负端加一个（电子）开关,然后用高低电平来控制这个开关吧?!用一个三极晶体管也可以来完成,但最好说清楚你的负载（即接在开关后面的是什么?）,有时简单的电路未必能适用你的要求.

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

PNP三极管,基极比发射极电压高2V,发射结反偏；集电极比基极高4V,集电结正偏且电压超过其正向压降.结论：PNP管错用了正电源,集电结已损坏,不能工作.