1P N与两匹有什么区别

如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置.则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场

分势垒电容和扩散电容,势垒电容是累电容类似于平板电容器原理（C=AE/d）,PN结两边电容变化造成势垒区的变化,相当于一个充放电过程,但是需要注意的是它和平板电容器是反的,PN结正向电压增加,Q是减小

要知道PN结的导通条件,首先要弄清楚PN结是怎样形成的.当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散.但是,电子和空穴都是

PN结的导通就是在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正

可以这样来理解,（1）P型半导体体内空穴浓度大,N型半导体电子浓度大,当P,N型半导体接触时,就会有电子空穴对的复合.P型（掺三族元素）,N型材料（掺五族元素）本来是中性的,P型部分区域的空穴被复合后

最简单的特性就是单向导电,复杂的电学、物理学特性太多了.

稳压二极管也是用的PN结反向伏安特性,只是比一般的PN结击穿电压低,还是可逆的的,伏安特性更陡.一般串联电阻,电压增加一点点,电流急剧加,等效阻抗变小,拖低在稳压管上的电压.

晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系.但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的

PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N

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二极管的PN结内部对电流的阻力与电阻性质是不同的,是内部电场对载流子的作用不是像电阻那样是介质对电子的阻力；PN接正向导电的时候表现出来的电流方程为I=Is（e*U/UT-1),Is为反向饱和电流,U

：电动机从电源吸取的有功功率,称为电动机的输入功率,一般用P1表示.而电动机转轴上输出的机械功率,称为输出功率,一般用P2表示.在额定负载下,P2就是额定功率Pn.

P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN结两侧的积累,形成电偶极层(图4).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行

N型半导体在硅或锗等本征半导体材料中掺入微量的磷、锑、砷等五价元素,就变成了以电子导电为主的半导体,即N型半导体.在N型半导体中,电子（带负电荷）叫多数载流子,空穴（带正电荷）叫少数载流子.P型半导体

都有第一的意思.但first还有：首先,最初等含义

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P型和N型半导体都是杂质半导体,它们是在本征半导体材料中掺入极少量的特定元素而成的.本征半导体一般是硅,如掺入5价元素的杂质,比如磷或砷,就可以使自由电子浓度大大增加,这就是N型半导体,也叫电子型半导

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便

单向导通性

从电学角度来说Pe是有效功率Pn是额定功率Pn=Pe*Cos（a）=（根号3*IU）*Cos（a）（其中：a为功率因数角,I、U分别为变压器的线电压和线电流.）